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基于CCC II的双二阶电流模式多功能滤波器结构

作者:时间:2009-05-06来源:网络收藏

运用Hspice对所提出的电路进行仿真,采用Chartered CMOS O.35μm工艺的nmos_3p3和pmos_3p3。为实现电路的滤波特性,采用的Ⅱ结构如图3所示,仿真时电源电压VDD=1.65 V,VSS=一1.65 V,偏置电流IB为1.3μA,NMOS管的宽和长为W=10μm,L=2μm,PMOS管的宽和长为W=10μm,L=1μm。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/188931.htm

由于所提出的电路较多,鉴于篇幅有限,在这里给出图2(d)的电路的仿真结果如图4所示。

图4(a)为C1=C2=20 pF,R=10 kΩ带通滤波器的幅频特性;图4(b)为C1=C2=20 pF,R=10 kΩ低通滤波器的幅频特性;图4(c)为C1=C2=10 pF,R=10 kΩ高通滤波器的幅频特性;图4(d)和图4(e)分别为C1=C2=10 pF,R=10 kΩ全通滤波器的幅频特性和相频特性。
由实验数据的分析结果可以看出,在该滤波器电路中,通过不同的输入端,在输出端可以分别实现高通、低通和带通滤波功能显然仿真结果与理论分析一致,证实了电路的可行性。


4 结 语
本文提出了基于Ⅱ的双滤波器结构,该结构具有以下特点:
(1)通过选择不同的输入端和输出端可以得到4个三输入单输出滤波电路,从而使该结构的使用更加灵活;
(2)结构非常简单。整个电路结构仅由2个MOⅡ和3个RC元件构成;
(3)具有性,可以产生低通、高通,带通及全通滤波器;
(4)具有较低的灵敏度;
(5)固有频率ω0和品质因数Q相互独立可调。


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