微波暗箱反射率电平分析与测量

作者：时间：2012-07-26来源：网络收藏

（3）描绘驻波曲线的包络，由包络线的极大极小值求出Δab，并求出它的平均电平A1（dB），若ED＞ER，A1（dB）就是接收天线的方向图电平。如图（6）：

（4）在不同的角上，重复（2）、（3）步骤，就能求出一系列空间驻波曲线，再由驻波曲线的包络来求出Δab值，在ED＞ER的情况下，由式（8）就能求出不同方向上的反射率电平。如果ED＞ER，则需按下式计算反射率电平：

由于ED随天线的移动有规律的变化，ER无规律的变化，在某取向角，如果实测空间驻波曲线的平均值出现无规律变化时，就能判定ER＞ED，或者在这个取向角上，假定驻波曲线的平均电平比在这个取向角上方向图的电平高，也能判定ER＞ED。

6 建立小圆柱型微波暗箱的测试系统与测试步骤

（1）测试装置的建立

微波暗箱反射率电平的测试系统主要由发射信号源（69347B）、接收机（MS2667C频谱分析仪）、计算机及接收天线和测试支架组成，见框图（7）。其中信号源为发射天线输出一个微波直射信号，由频谱分析仪接收来自各方向的反射及直射信号，并由计算机读出后描绘出一个空间驻波曲线，并计算出反射率电平。天线支架用来控制测试天线的上下、左右直线移动及转角姿态的变化动作。为了能比较准确地描绘出空间行程驻波曲线，天线移动的行程距离必须大于等于两个波长。最后通过改变接收天线取向角以获得若干条驻波曲线，从而达到测试小圆柱型微波暗箱反射率电平的目的。

（2）测试过程

依据VSWR法的特点，我们将接收天线安装在测试支架上，使天线处于暗箱中心轴线上，并距离后壁尖劈为15cm处，分别改变天线与中心轴的夹角来进行反射率电平的测试。

（3）天线测试状态的确定

这里我们仅选择垂直极化状态进行测试，其次考虑到被测箱体的限制，在测试位置上仅选取一点，即接收天线距离后壁尖劈为15cm处，俯仰角为±20°，±35°时，接收天线上下移动2-4个波长。由于暗箱为圆柱体，因此可通过转动暗箱来实现对暗箱内壁任意一点反射性能的测试，而暗箱后壁的反射性能受测试条件的局限而无法进行测量，故暂不考虑。

（4）Z向（垂直向）的测试

Z向的测试是接收天线离后壁尖劈15cm处，以箱体轴线作垂直向的上下移动，其上下移动的高度为±3λ（±9cm），天线的取向角为±20°，±35°，在这些点上测出若干条干涉曲线。垂直向的测试主要是测量暗箱上下尖劈对电磁波的反射情况。

在0°时，接收天线所获取的曲线（数值）为Z向场幅度的均匀性。通过由频谱仪测得的曲线，求出其最大电平变化值（Δab），及曲线的平均值（Ai）以得到天线在该取向角θ时的方向图电平值。

（5）将微波暗箱旋转至所需要的角度φi，重复（3）、（4）步骤，测出暗箱其余内壁的反射率电平。以下是我们对802所编号为6CH-6W2的暗箱采用以上方法进行测试，测试数据如下：

表（1）：接收天线作上下移动时电平的变化值测试频率：10.125GHz，接收天线距离暗箱中心轴5cm处定义为移动的起始位置，接收天线分别取俯仰角+20°、-20°。

本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/193519.htm

移动距离（mm）	仰角+20°时电平的变化（dB）	俯角-20°时电平的变化（dB）
0	61.09	61.24
2	61.08	61.22
4	61.08	61.17
6	61.04	61.17
8	60.98	61.12
10	60.96	61.08
12	60.95	61.06
14	60.91	61.04
16	60.96	61.03
18	60.97	61.03
20	60.97	61.03
22	61.00	61.04
24	61.00	61.10
26	60.98	61.15
28	60.99	61.17
30	60.96	61.19
32	60.94	61.28
34	60.89	61.37
36	60.88	61.31
38	60.86	61.42
40	60.86	61.47
42	60.83	61.53
46	60.80	61.58
48	60.74	61.63
50	60.71	61.65
52	60.66	61.72
54	60.90	61.74
56	60.89	61.74
58	60.79	61.74
60	60.46	61.69
62	60.45	61.67
64	60.73	61.63
66	60.72	61.58