华为“捷足先登”？英特尔新技术突破3nm限制，华为早就提出过

近十年以来，随着互联网技术的快速更新和以智能手机为代表的智能化产品的快速普及，芯片作为其中的关键材料，同样迎来了发展的高速期，成功从昔日的100nm工艺制程发展到5nm工艺制程，这一速度令所有人惊讶。

然而5nm并不是人们追求的最终目标。就目前而言，5nm芯片虽然在性能上有着卓越的表现，但距离理想状态还是有着一定的差距，人们也在此基础上对其进一步研发，以提高芯片工艺制程水平，让芯片为未来的智能化产品提供更为优良的基础。前不久，三星就成功展示了自己已经出具成果的3nm芯片，台积电之后肯定会紧随其后。毫无疑问，在未来的不久，3nm芯片将成功取代5nm成为芯片工艺的最高代表。

不过根据摩尔定律来看，芯片制程工艺水平越来越高，已经开始不断逼近天花板。按照摩尔极限定律来看，继续发展下去的话，不久就会达到极限，从而使得已经创立的芯片体系面临严峻的挑战。

这告诉我们，已经不能利用传统技术进行提高，即不能在硅基芯片上一味地寻求缩小，转换思路才是芯片摩尔极限定律破局的关键所在。不少半导体企业也都已经开始纷纷铺设新航道进行发展。不久前著名科技巨头企业英特尔传来好消息，表示自己的新技术将会成为突破摩尔极限定律的关键所在。

据悉，英特尔该技术是在硅光子学器件上取得的重要成果，未来也将成为芯片发展和应用的关键所在。其中最为主要的硅光子学是指在已有的硅芯片的光子学科技基础上，利用光波导进行数据的传输，以此来代替非传统集成电路上利用铜互联发出电信号来进行相应信息之间的传递。光波导相对于铜通路而言，无论是在传递速度还是在损耗方面，前者都要优于后者。在这一基础上，许多既有的芯片工艺制程都可以进行改变，大幅度提高芯片的性能，并且降低其能耗。

对于英特尔的这一新技术，不少企业都大为称赞。英特尔之前就是国际上最负盛名的半导体企业，曾一度称霸芯片行业，只不过后面由于种种原因，被台积电和三星甩在了身后。但如果该项技术获得成功的话，那么英特尔无疑将会在芯片行业重新崛起，夺回甚至超过在半导体行业的既有影响力。美芯片公司新技术曝光，有望超越三星台积电，没想到却被华为抢先。

然而随着这一消息逐渐传播开来，越来越多的人发现，英特尔其实并不是第一个提出这样解决思路的公司，在此之前，华为早已经提出了相应的思路，并且开始付出行动。也就是说在芯片和光子学上面，华为已经捷足先登。

华为 “捷足先登”？英特尔新技术突破3nm限制，华为早就提出过。当然了，两者给出的技术名字并不一样，但本质确实差不多的，而华为发布时间要更为提前一些。英特尔在硅光子学上的思路和技术提出是在4月19日，但是早在3月初的时候，华为就发布了光芯片技术，即光子学与芯片的相结合。

华为的光芯片技术是利用光子代替现有集成电路上的电子来完成电路间信号的传输，从而达到芯片信息传输的功能，利用光子学缩短传递时间，降低多余能量的损耗。由此来看，两者其实并没有多大的差别，都是将光子学与硅芯片结合了起来。而且为了尽早实现芯片自主化，2020年12月中建八局就已经打造了国内首个芯片厂房，武汉华为光工厂项目正式封顶。也就是说英特尔在宣布自己新思路的时候，华为已经进行了不少时间的研发，抢在了其前面。

其实除了华为和英特尔提出的光子学与硅芯片以外，突破芯片摩尔极限定律的另一个主要思路就是更换材料，即不再用硅作为芯片的主要材料。而目前研发最多的是利用碳来代替硅，研发碳基芯片来突破摩尔极限定律，确保芯片技术的进一步发展。而且值得一提的是，在这一思路上，中科院早在去年就取得了一定的成果。

虽然总体而言，我国在芯片制造技术上落后于漂亮国等发达国家，但解决思路以及难题攻克上，我国不逊色于任何一个国家，甚至略胜一筹。这也表明，我国一旦成功突破了光刻机等芯片制造的传统技术难题，将一举从之前的落后变为国际芯片行业的领头羊，改变当下半导体行业的国际市场格局。