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SAW、BAW和无线的未来

作者:时间:2014-06-09来源:网络收藏

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/259427.htm

虽然和FBAR的制造成本更高,其性能优势非常适合极具挑战性的LTE频带以及PCS频带,后者的发送和接收路径间只有20MHz的狭 窄过渡范围。 和FBAR的IDT可做得足够大,以支持4W@2GHz的更高射频功率。器件对静电放电有固有的高阻抗,其BAW-SMR变体具有约 -17ppm/℃ @2GHz的TCF 。

随着频谱拥挤导致缩窄甚至舍弃保护频带的趋势,对于高性能的需求显著增加。 BAW技术使人们有可能设计出具有非常陡峭滤波器裙边、高抑制性能以及温漂很小的窄带滤波器,它非常适合处理相邻频段之间非常棘手的干扰抑制问题。 TriQuint及其它滤波器制造商的工程师正在努力实现4%或更高带宽、损耗更低、TCF基本为零的BAW-SMR滤波器。

BAW 器件所需的制造工艺步骤是的10倍,但因它们是在更大晶圆上制造的,每片晶圆产出的BAW器件也多了约4倍。即便如此,BAW的成本仍高于。 然而,对一些分配在2GHz以上极具挑战性的频段来说,BAW是唯一可用方案。因此,BAW滤波器在3G/4G智能手机内所占的份额在迅速增长。

我 们TriQuint的设计团队专注于优化BAW和 BAW-SMR架构,而非FBAR架构 。在BAW-SMR滤波器底部电极下方使用的声反射器使其在FBAR面临挑战的频段拥有优化的带宽性能。反射器使用的二氧化硅还显著减少了BAW的整体温 漂,该指标远好于BAW甚至FBAR所能达到的水平。由于谐振器位于结实的材料块上,其散热比FBAR好得多,后者采用一个膜,仅能通过边缘散热。这使得 BAW器件可实现更高的功率密度,不久就会有可用于小蜂窝基站应用10W级器件的问世。

总结

未来几年,、TC-SAW和BAW滤波器及的各种选择将成为各类设备更重要的组成部分。随着各类发射器的增加、更高频率内更多频段的分配、加之全球频谱管理依然各自为政,抑制将变得越来越具有挑战性。

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