KLA－TENCOR推出最新电子束晶圆检查系统

    KLA-Tencor今天发布了其最新一代在线电子束（e-beam）晶圆检查系统eS31，它能够满足芯片制造商对65nm和以下节点的工程分析和生产线监控应用方面的高灵敏度检查需要。eS31采用了KLA-Tencor的经过生产验证的23xx光明场检查平台，以及若干能够比前一代电子束检查设备在拥有成本（CoO）方面提升六倍之多的若干硬件和软件。利用eS31，芯片制造商可以发现电路缺陷，并在工艺开发阶段及时解决这些问题，使他们的先进产品更迅速地进入市场，与此同时，在生产过程中对电性缺陷异常增高的监控能够实现更高的产量，并降低其每个成品硅片的成本。

    随机携带的mLoop技术缩短了数星期的工艺开发时间eS31是eS3x产品系列中第一个集成了该公司专有的mLoop（“Micro Loop”）技术的系统，它可以在早期发现以前使用电路探针需要花几个星期才能发现的对良率有关键影响的电性缺陷。自从KLA-Tencor推出了前一代eS20XP检查系统以来，mLoop已经被全球领先的芯片制造商采用，以加速他们先进工艺的良率学习周期。mLoop采用独特的优化电压对比测试结构，有助于芯片制造商确定电路缺陷的精确位置。利用eS31的mLoop技术可以在一个小时内完成整个晶圆区的检查。mLoop最初是为生产线后端（BEOL）工艺加速良率学习周期设计的，它也能发现生产线前端（FEOL）工艺中的重要缺陷，例如多晶硅间微小残留，为SRAM结构提供先进电路的检验。这尤其适用于微调光刻板/光掩膜，以改善线宽。

    新型缺陷推动着新型检查解决方案的需求向小型设计标准的转变、新材料和更大的晶圆尺寸导致了缺陷类型的显著增加，这些问题利用电子束检查才能发现。在铜的双重镶嵌工艺中，更小的线宽导致了新的隐蔽的缺陷——铜空洞——用光学检查系统是难以发现的。新材料，例如钴化物和镍化物，其隐蔽的电路缺陷也在增加。漏电对先进逻辑器件性能的影响日益加大，也已成为人们越来越关注的一个焦点。此外，先进存储器件的极大的高宽比比（＞40∶1）结构也推动着电子束检查的需求，因为光学检查设备不能发现这些结构底部形成的蚀刻下缺陷。eS31是专门用来发现以上这些和影响器件电路性能的许多其他重要缺陷类型的方法。

    基准灵敏度和生产价值
    eS31具有所需的发现极小（50nm以下）的物理缺陷和电压对比缺陷的灵敏度。eS31系统扩展的光学设备使之具备了提高数据处理速度和基于规则的分类（RBB）生产能力，这比同类电子束检查设备提高了六倍。此外，eS31可作为KLA-Tencor业界领先的23xx光场检查平台，它已被整个代工行业广泛采用。通过共用一个通用的平台，eS31有助于降低设备操作人员的培训成本，并改善了使用和格式设置的易用性。不同于同类电子束检查平台，eS31也简化了电子束的基本检测参数设置，同时利用一个自动化程序进行设备校准，使工程师可以把更多的精力集中在实验设计（DOE）和工艺的改进方面。 
    KLA-Tencor公司电子束检查部门副总裁兼总经理Paul Marella表示：“自从十几年前率先涉足电子束检查领域以来，我们不断利用我们拥有的技术专长，通过与用户的密切合作，为他们解决了最重要的生产良率问题。eS31可以为我们的用户提供一个从65nm工艺开发到生产全过程的真正的解决方案，帮助他们跟上摩尔定律的进程，并降低生产成本。”