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基于时域反射和传输的S参数测量(07-100)

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作者:时间:2009-03-04来源:电子产品世界收藏

  还有上面提到的PSPL公司是皮秒脉冲仪器供应商,产品包括通用和专用脉冲发生器和阶跃脉冲发生器,取样示波器模块和取样门等,用户需要扩展以上三家设备的特性或自行构建设备,可考虑采用该公司的产品作为优选的部件。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/92049.htm

  基于TDR/TDT的测量的误区

  为了正确使用基于TRD/TRT的S参数测量方法,需要避免一些错误概念,主要表现为:

  第一,完全代替VNA。VNA能够测量有源和无源的元器件,是阻抗域测量仪器中功能最全面,、最准确的设备。目前基于TRD/TRT的S参数测量只能够解决同轴线、电缆等的无源S参数测量,而且以VNA作为测量对比的标准。

  第二,选择高取样率的数字存储示波器。数字存储示波器的带宽取决于取样率的提高,但基于TRD/TRT的S参数测量的带宽与取样率无关,而取决于阶跃脉冲的上升时间。因而,基于TRD/TRT的测量无需选用时域测量仪器中功能最全面,取样率最高的数字存储示波器,只要使用数字取样示波器即可。

  第三,VNA的背景噪声最低。VNA使用带通滤波器和数字滤波器,具有很低的背景噪声。同样数字取样示波器使用多次平均运算,亦能显著提高信噪比。VNA的低频从100KHz或1MHz开始,而TRD/TRT的低频一直延伸至DC,后者具有更好的低频特性。

  第四,基于TDR/TDT的测量的动态范围较低。早期TDR/TDT测量的动态范围只有40dB,近年来取得进展,在带宽20GHz以上时动态范围扩大到70dB,加上使用数据多次平均降噪技术,动态范围进一步得到改善,为同轴线、微带、电缆的S参数测量提供足够的动态范围。

  结语

  基于TDR/TDT的S参数测量是一种成功的测量技术,过去通过时域—频域的变换和反变换使两域沟通起来,现在通过时域—频域变换—S参数运算使时、频、阻抗三域沟通起来,域际互通测量技术的前景更加广阔。

  测试测量仪器中VNA是最高级和最昂贵的设备,一般实验室没有测量射频/微波的S参数的的手段,而数字取样示波器较容易拥有。已经证实,在数字取样示波器基础上构建的TDR/TDT,测量S参数设备,成本不到VNA 的一半。如果考虑到VNA的单台价格20~30万美元,则节省10~15万美元是一笔可观的经费。此外,VNA需要熟练的工程技术人员操作,测量时间要半小时以上,基于TDR/TDT的S参数测量的操作比较简单,测量时间只要几分钟,的确是省钱、省力、省时的测量方法。(李仪)

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关键词: 测量 S参数

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