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高性能小型化成霍尔传感器未来发展方向

作者:西安电子科技大学微电子学院辛维平博士 时间:2009-06-17来源:中国电子报收藏

  更高的性能

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/95360.htm

  新的应用环境要求霍尔器件更加小型化、更高的灵敏度且集成度更高。为了适用于空间较小的检测环境,例如电动机中的间隙、磁力轴承以及其他像永磁体扫描等需接近测量表面的场合,需要更加小型化的器件。

  另外,为了检测更小的变化量,需要灵敏度更高的器件。器件的小型化不仅适应了新的应用环境,也降低了器件成本。

  国外的发展方向就是采用(互补金属氧化物半导体)技术的高度集成化,同样功能可以集成在非常小的芯片内,如信号预处理的最主要部分已在霍尔器件上完成。其中包括前置放大、失调补偿、温度补偿、电压恒定等,并且可以在芯片上集成许多附加功能,如数据存储单元、定时器等。所有这些都采用标准,它们开辟了霍尔器件新的应用领域。

  由于采用了微电子工艺,硅能很好地适用于许多工业应用,这极大地推动了霍尔器件的发展。目前,国外的研发进展迅速,不仅解决了与EMC(电磁兼容性)器件的协同工作问题,而且感应精度也得到了提高。但是,霍尔传感器的可靠性将是下一步必须着重考虑的问题。

  另外,霍尔传感器的成本较高,因此其应用领域基本锁定在汽车等高端市场,而对于需求量较大、对成本控制非常严格的消费电子市场则受到了成本的限制。相信随着技术的进一步发展,霍尔传感器走进手柄等消费电子应用领域将是大势所趋。

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