48纳米
贡献者:sky2009 浏览:1848次 创建时间:2010-04-27
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主要应用在半导体制造领域48纳米
目前海力士48纳米工艺已确定可在2008年第1季度进入量产阶段,且初步投片量一举可拉高至约2万片规模,相较于东芝或三星在40纳米工艺世代量产时间点,海力士此次确实已扳回一城。半导体业者指出,东芝45纳米工艺时间表为2008年第1季度才会有样本出来,而依照正常从样本出来到量产所需时间推算,东芝45纳米工艺量产时间可能落在2008年第3季度左右。
同样地,三星旗下40纳米工艺进度与东芝不相上下,半导体业者表示,三星45纳米工艺量产时间点也需要等到2008年第3季度,2大厂40纳米工艺世代进度与海力士相较,足足晚半年左右时间,这对于海力士而言,无疑将是一大利多。
部分NAND Flash业者认为,海力士宣称48纳米工艺将于2008年第1季度便进入量产,这对于东芝与三星来说,确实将会对2大龙头厂构成重重一击;但亦有业者认为,海力士恐不太可能如此出乎意料地后来居上,毕竟NAND Flash产品在进入50纳米工艺世代量产阶段,便花费各NAND Flash业者相当一段时间,海力士怎么可能在这么短时间内超越2大龙头厂,成为第1家进入40纳米工艺世代量产的NAND Flash业者,因而对此抱保留态度。
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参考资料
http://baike.baidu.com/view/1714.htm?fr=ala0_1
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