iegt
贡献者:sylar 浏览:2556次 创建时间:2009-06-03
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日本东芝开发的IECT利用了“电子注入增强效应”,使之兼有IGBT和GTO两者的优点:低饱和压降,宽安全工作区(吸收回路容量仅为GTO的1/10左右),低栅极驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率,如图3所示。器件采用平板压接式电极引出结构,可靠性高,性能已经达到4.5KV/1500A的水平。
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http://baike.baidu.com/view/1340999.html?fromTaglist
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