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半桥
2015-05-06
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- 半桥
电路结构，半桥结构，它是两个功率开关器件（如 MOS 管）以图腾柱的形式相连接，以中间点作为输出，提供方波信号。这种结构在 PWM 电机控制、DC-AC逆变、电子镇流器等场合有着广泛的应用。
中文名半桥
外文名Half bridge
类 型电路结构
应 用 PWM 电机控制、DC-AC逆变
Half bridge
半桥结构，它是两个功率开关器件（如 MOS 管）以图
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栅极控制
2015-04-27
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- 栅极控制
目录1 产品简介
2 栅极控制变容管
3 相关词条
4 参考资料
1 产品简介 2 栅极控制变容管 3 相关词条 4 参考资料
栅极控制随着高功率高电压IGBT的到来，有可能使用成熟的栅极驱动电路以获得更好的开关特性和工作强度。短路电路和过载保护电路重点问题是栅极驱动电路必须适合高功率转换器。评估IGBT在内部动态期间，栅极控制对限制故障电流的作用。使用两个驱动仿真器分析内部
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3-D三栅极晶体
2015-04-27
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- 3-D三栅极晶体
第三代智能酷睿处理器的性能提升与创新的3-D晶体管密不可分。在IVB架构发布之前，电脑、服务器和其它设备所采用的都是二维平面晶体管。Intel为晶体管加入第三个维度，从而增加了晶体管密度。Intel第三代酷睿IVB处理器是唯一采用3-D晶体管的芯片产品。
三栅极晶体管发展
3-D晶体管结构
科学家经过无数次试验研发出来3-D结构，让摩尔定律可以继续延续。相对于2-D平面栅
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栅极电阻
2015-04-27
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- 栅极电阻
中文名栅极电阻
拼 音shanjidianzu
解 释采用了两个按图腾柱形式配置
应 用驱动器
目录
1简介
2形成工艺方法
3计算
4设计、布局和疑难解答
栅极驱动电路的驱动器输出级是一种典型的设计，采用了两个按图腾柱形式配置的MOSFET。两个MOSFET的栅极由相同的信号驱动。当信号为高电平时，N通道MOSFET导通，当信号为低电平时，P通道M
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GDT
2015-04-21
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- GDT
中文名GDT
外文名Gate Drive Transformer
中文名栅极驱动变压器
适用范围IGBT与MOSFET栅极驱动电路
栅极驱动变压器（Gate Drive Transformer），是广泛用于IGBT与MOSFET栅极驱动电路的脉冲变压器。
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自对准工艺
2014-12-27
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- 自对准工艺
设计这类晶体管时往往让栅区宽度（栅氧化膜及其上的铝栅电极两者）比源和漏扩散区的间距要大一些，光刻时使栅区的两端分别落在源和漏扩散区上并有一定余量，由此便产生了较大的栅对源、漏的覆盖电容，使电路的开关速度降低。
自对准技术
self-alignment technique
微电子技术中利用元件、器件结构特点实现光复印自动对准的技术。早期的 MOS集成电路采用的是铝栅工艺,首先在硅
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