M1 1200 V SiC MOSFET特性及驱动建议
上传用户：EEPW
上传日期：2022-09-02
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本白皮书介绍安森美(onsemi)的M1 1200 V SiC MOSFET的关键静态特性和动态特性，及在应用设计中如何配合使用其独特的SiC门极驱动器NCP51705，以最少的外部器件实现极高的能效和可靠性。
关键词： onsemi 安森美 能源基础设施 MOSFET SiC 门极驱动器 NCP51705
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