- 随着液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注，但高电压(40V以上)工艺在中国基本还处于空白。本文着重介绍40V高压工艺平台所面临的主要问题和关键工艺：锑注入，外延生长之后的光刻对准和非
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工艺 开发 芯片 驱动 高压 液晶显示 40V
- 本文以比较器为基本电路，采用恒流源充放电技术，设计了一种基于1.0mu;m CMOS工艺的锯齿波振荡电路，并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工具对电路进行了仿真模拟，结果表明，锯齿波
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CMOS 1.0 工艺 锯齿波
- 1 概述TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC)，它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采样率为20MSPS。由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺，因而大大减少了器件中比较器的数
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- 1 引言 作为连接设计和制造的桥梁和纽带，CAPP不仅是制造企业准备工作的首要步骤，而且是企业各部门信急交汇的重要环节。由于CAPP在CIMS中的地位和作用，工艺规划的自动生成(也即智能工艺设计)被视为生产自动化中
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- 1 引言 本文在传统锁相环结构的基础上进行改进，设计了一款用于多路输出时钟缓冲器中的锁相环，其主 要结构包括分频器、鉴频鉴相器(PFD)、电荷泵、环路滤波器和压控振荡器(VCO)。在鉴相器前采用预 分频结构减小时
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- 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国
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- 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布提供针对公司High-Q™集成无源器件(IPD)工艺的完整从前到后工序工艺设计套件(PDK)。这PDK开发是为了配合安捷伦科技的先进设计系统(ADS) 2011电子设计辅助(EDA)软件一起使用，使安森美半导体及安捷伦科技的客户能够充分利用业界最全面射频(RF)及微波设计平台的优势。
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- 每逢夜幕降临，街市上华灯初亮，而独树一枝的五彩霓虹灯显得格外亮丽醒目，它将宾馆、大厦、商场及娱乐城装饰得多姿多彩。然而这种传统的霓虹灯制作工艺复杂，造价成本高、耗电惊人，维修难又容易遭破损等问题。新型
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- 摘要：为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
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- 模具的型芯和型腔往往具有各种自由曲面，非常适合在数控机床上进行加工。数控加工的工艺与普通加工工艺有较大区别。本文结合儿童产品装饰物的模具型芯的数控加工工艺设计，分析和总结了模具数控加工的工艺特点，为模
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- 集成电路，即integrated circuit，这是一种微型电子器件或部件，按功能可划分为数字和模拟两大类。而模拟集成电路一般用于模拟信号的产生和处理，有很多种种类，比如集成运算放大器、集成锁相环、集成功率放大器、集
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CMOS 工艺 放大器设计 集成运算
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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聚四氟乙烯 微波板 工艺 多层化
- 近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准的CMOS工艺开发出高性能的下
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- 一、生产工艺1.工艺：a)清洗：采用超声波清洗pcb或LED支架，并烘干。b)装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB
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- 摘要：数字集成电路的不断发展和制造工艺的不断进步，使得物理设计面临着越来越多的挑战。特征尺寸的减小，使得后端设计过程中解决信号完整性问题是越来越重要。互连线间的串扰就是其中的一个，所以在后端设计的流程
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