- 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶体管，以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件，占板面积为2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持，有助于改善电路效率和降低工作温度。 Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示：“我们最新的双极晶体管能够支持20V至1
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- 近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。应用材料公司的Carina技术具有独一无二的表现，它能达到毫不妥协的关键刻蚀参数要求：平坦垂直，侧边轮廓不含任何硅材料凹陷，同时没有任何副产品残留物。 应用材料公司资深副总裁、硅系统业务
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- 飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等
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- 电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其业界领先的低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。
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- 恩智浦半导体(NXPSemiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上唯一能够在整个UHF波段以杰出线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案，主要面向电视发射及广播市场。电视广播发射行业不断提高输出功率以满足高清电视的需求，广播商凭借恩智浦的这一最新高效率解决方案能够显著提高输出功率，同时降低成本。 如今的高性能电视发射机投资巨大，所以广播商正
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- 恩智浦半导体（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数码相机）的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。
华硕公司研发处主任郑庆福表示：“卓越的节能性能是华硕科技（ASUSTek）非常关注的一项重要性能，也是我们获得世界首个笔记本电脑T
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- 英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45纳米晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔®酷睿™2双核、英特尔®酷睿™2四核以及英特尔®至强®系列多核处理器中，将置入数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有五种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45纳米处理器产品的第一批。 在台式机、笔记本和服务器领域，晶体管技术的提升使得公司能够继续创造出处理器计算速度的全新纪录
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- 瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。 作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。 RQG2003的功能总结如下： 业界最高的性能水
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- 瑞萨科技开发用于45纳米节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术 --可以经济地生产带有采用金属（P型）和多晶硅（N型）栅极混合结构的CMIS晶体管 而不必对现有的制造工艺进行重要改变— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，开发出一种可用于45nm（纳米）节点及以上工艺微处理器和SoC（系统级芯片）产品的高性能和低成本晶体管技术。新开发的技术包括采用P型晶体管金属栅极，以及N型晶体管传统多晶硅栅极的混合结构的高性能CMIS*1晶体管。它可以在不
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- 意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用ST自主开发的第二代 MDmeshTM 技术，最大通态电阻 RDS&nb
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- 功率放大是一种能量转换的电路，在输入信号的作用下，晶体管把直流电源的能量，转换的电路。 ...
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- 安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出ThermalTrak输出晶体管新系列，具有内部偏置控制的独特功能，该器件为用于高端和具成本优势的消费电子音频应用及大功率专业声音系统而设计，提高整体音质，简化设计。 安森美半导体的音频输出晶体管采用ThermalTrak专利技术，消除累积预热时间，能快速精确地调整偏置。实时温度检测让设计人员更精确地监控工作温度，提高音质和偏置稳定性。该器件系列无需输出驱动补偿电路和昂贵的人手偏置调整，大大简化了放大器设计。 其中，
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- 尽管SMPS（开关电源）本身能防止永久性短路，但在遇到瞬时过载时有时会出问题。瞬时过载并非短路，但却会使电源超出其标称负载值。这种情况会在开关电源连接典型负载，如打印机头和小型电机时发生。
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- 1947年12月16日，贝尔实验室的两位研究员约翰·巴登和沃尔特·布拉顿发明了世界首个晶体管。
他们的设备叫做“点接触晶体管”(point contract transistor)，当时它主要用来导电以及放大信号，现在，这些工作主要交由真空管等部件来完成了。
他们的同事威廉·肖克利随后很快发明了“结型晶体管”(junction transistor)。尽管巴登与布拉顿是晶体管的第一批发明人，但肖克利的
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晶体管介绍
【简介】
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个P [
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