比利时微电子研究中心(imec)于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会(VLSI Symposium),首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)结构,将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨(buried power rail)上。微缩化的鳍式场效晶体管(FinFET)透过这些埋入式电源轨(BPR)实现互连,性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔(nTSV)与埋入式电源轨(BPR)连接至晶圆背面,与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对