- 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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安森美 SiC
- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER™ 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能，为新一代的功率器件保驾护航。EiceDRIVER™增强型1ED34X1主要特色：● 单通道隔离型栅极驱动芯片● 输出电流典型值+3/6/9A● 功能绝缘电压高达2300V● 带米勒钳位、Desat短路保护、
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MOSFET EiceDRIVER MOSFET
- 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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碳化硅 SiC
- 近日，意法半导体官微宣布，将为博格华纳的Viper功率模块提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格华纳将该功率模块用于沃尔沃和未来多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台。为了充分发挥意法半导体SiC MOSFET 芯片的优势，意法半导体和博格华纳技术团队密切合作，力争让意法半导体的芯片与博格华纳的Viper功率开关匹配，最大限度提高逆变器性能，缩小电驱架构尺寸并提升经济效益。意法半导体汽车和分立器件产品部（ADG）总裁Marco Monti表示，意法半导体和博格华纳合作有助于提升沃尔沃的车辆性能
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意法半导体 博格华纳 SiC 沃尔沃
- 近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC
MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。图：三安半导体湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安
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8英寸 碳化硅
- STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正（PFC）和谐波失真（THD）抑制，后记全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压。该参考设计为高效率紧凑型解决方案，在230 VAC输入时，测量峰值效率为96.3%
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ST 第三代半导体 SIC GNA 图腾柱PFC 无桥PFC 全桥LLC 数字电源
- ● 意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现电动化目标● 博格华纳将采用意法半导体碳化硅芯片为沃尔沃现有和未来的多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)将与提供创新和可持续移动解决方案的全球领导者博格华纳公司(纽约证券交易所股票代码：BWA)合作，为博格华纳专有的基于 Viper 功率模块
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意法半导体 SiC 博格华纳 功率模块 沃尔沃 电动汽车
- 随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起，在可预见的未来里，电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而，随着电气化在各行各业的渗透率不断提升，每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国，根据国家能源局发布的数据，2022年全社会用电量86,372亿千瓦时，同比增长3.6%；其中，高速发展的新能源汽车在整车制造方面，用电量大幅增长71.1%。图1：全社会用电量统计（图源：贸泽电子）各行业电气化进程逐渐深入后，我们也必须要考虑到一个严峻的问题，那就是节能。当前，任何一种用电设备在设计之初，都会将高能效和低能
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Mouser 碳化硅 功率器件
- 我们设计了一个使用 MOSFET 的功率放大电路，可产生 100W 的输出功率，驱动约 8 欧姆的负载。 所设计的功率放大电路具有效率高、交叉失真和总谐波失真的优点。工作原理：该电路采用多级功率放大原理，包括前置放大器、驱动器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驱动级是带有电流镜负载的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 类工作方式。与 BJT 相比，MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成，用于产生无噪声放大信号
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功率放大器 MOSFET
- _____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快
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- 在科技领域中，碳化硅芯片正如一颗闪耀的明星，逐渐崭露头角。随着移动互联网、人工智能和物联网等领域的迅速发展，芯片技术也不断突破创新。而在这股技术浪潮中，碳化硅芯片凭借其独特的优势正愈发引起人们的瞩目。伴随着阿斯麦这位传统芯片巨头的重磅投资，人们开始纷纷关注，碳化硅芯片是否即将主宰市场？更高的温度耐受性碳化硅芯片，作为一种新兴的半导体材料，因其出色的性能和优异的耐受性而备受关注。其中，其更高的温度耐受性是其最大的优势之一。碳化硅芯片的高温耐受性是由其特殊的晶格结构决定的。碳化硅是由碳原子和硅原子组成的晶体，
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- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款
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东芝 2200V 双碳化硅 SiC MOSFET模块
- TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于 SiC 的 800V、300kW 牵引逆变器系统参考设计，该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术（包括用于驱动 Wolfspeed SiC 电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器）如何通过降低电压过冲来提高系统效率。隔离式栅极驱动器与 TI 的隔离式辅助电源解决方案配合使用
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SiC 牵引逆变器
- 随着碳化硅（SiC）在电动汽车、新能源等领域的应用日益广泛，市场需求不断增长。近期，一批碳化硅项目集中开工，部分公司接到批量订单，推动了碳化硅加速量产。传播星球App联合创始人由曦向《证券日报》记者介绍，碳化硅的应用场景主要包括电动汽车、光伏发电、充电桩、电力电子等领域。近年来，我国在碳化硅领域的研究和应用取得快速发展，一些项目已经落地实施。例如，在新能源汽车的高压充电技术方面，碳化硅作为其中的关键材料，其需求正日益增长。“碳化硅作为一种优良的半导体材料，具有耐高压、导热好、耐高温等优点，是实现高压快充技
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碳化硅 新能源
- 随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时限度地延长系统正常运行时间。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱
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SiC
碳化硅(sic)mosfet介绍
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