11月27日， 由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办，由中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会承办、深圳市科技交流服务中心、深圳基本半导体有限公司、深圳中欧创新中心执行的“2021中欧科技创新合作发展论坛”专业论坛——“2021中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳隆重举行。论坛上，来自国内及英国、法国、比利时等国际知名的科学家、科技组织、科研院校、行业协会、半导体企业及投资机构等泛第三代半导体产业生态圈的代表参与大会，共同探讨中欧第三代半导体产业发展和应用现况及未来趋势，并就如何深化“碳中和”目标
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第三代半导体 碳化硅
新基建和“双碳”战略目标推动下，第三代半导体产业正在开启发展加速度，有望成为绿色经济的中流砥柱，引领新一轮产业革命。“创新为基，创芯为本”，11月27日，2021基本创新日活动在深圳盛大启幕。基本半导体总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展，受到了现场来自汽车、工业、消费等领域以及第三代半导体产业生态圈的多位业内人士的高度关注。汽车级全碳化硅功
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第三代半导体 碳化硅 MOSFET
基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二极管
碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势，引领和加速了汽车电动化进程，对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段，汽车产销量、保有量连续6年居世界首位，在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展，极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新，为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
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碳化硅 新能源汽车 功率半导体 202110 MOSFET SiC
以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化硅MOSFET分离式和模块产品组合，Microchip推出一款全新 ”生产就绪”的1200V数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运输并满足严格的行业要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可降低50%开关损耗对于碳化硅电源转换设备的设计人员来说，Microchip的Agi
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Microchip 碳化硅 MOSFET
无桥式图腾柱功率因数校正（PFC） 级可用于满足严格的效率标准，但使用硅 MOSFET 时出现的较高损耗是不可接受的，而解决方案则是使用宽带隙碳化硅（SiC）器件。本文将讨论能够实现这些改进的 SiC器件性能参数。
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碳化硅 图腾柱 PFC 体二极管 恢复 电荷 效率 损耗 输出电容
近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料，因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
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意法半导体 Norstel AB 碳化硅 SiC
引言全球能源短缺和大气污染问题日益严峻,汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作为领先的功率半导体厂商之一,罗姆一直致力于技术创新,研发各种高效、高品质的功率器件,为大功率智能充电站提供安全可靠的解决方案,在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。缩短充电时间的高输出挑战对电动汽车车主来说,缩短充电时间是非常重要的诉求,而大功率充电是其中关键的支撑技术。提升续航距离需要増加电池容量,为缩短充电时间,需要高输出能力的充电桩,如360kW的充电桩要搭载9个40kW的电源
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充电桩 碳化硅
意法半导体（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圆，这些晶圆将用于生产下一代功率电子芯片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计划获得重要阶段性的成功，其巩固了ST在此一开创性技术领域的领导地位，且提升了功率电子芯片的轻量化和效能，降低客户获取这些产品的拥有总成本。 意法半导体制造首批8吋碳化硅晶圆意法半导体首批8吋SiC晶圆质量十分优良，对于芯片良率和晶体位错误之缺陷非常低。其低缺
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意法半导体 碳化硅
由于5G、电动车、高频无线通信及国防航天等新兴科技趋势的兴起，产业对于高频率、低耗损的表现需求日益增加，如何在高温、高频率及高电压等恶劣环境作业下损失较少功率的化合物半导体材料，备受产业期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作宽能隙半导体的器件，能够满足传统硅基半导体所不能满足的诸多优点。放眼全球化合物半导体大厂，碳化硅（SiC）晶圆的供应以美国大厂Cree为首，是具有上下游整合制造能力的整合组件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高达六至七成。磊晶厂则以美国的II-VI Incorporated为代表；模
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碳化硅 宽能隙半导体
中国化合物半导体全产业链制造平台 -- 三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET随着中
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三安集成 碳化硅 MOSFET
随着物联网，大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料，器件，模块和应用等环节的产业链。全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。 碳化硅，作为发展的最成熟的第三代半导体材料，其宽禁带，高临界击穿电场等优势，是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。已在智能电网，轨道交通，新能源，开关电源等领域得到了应用，展现出了优良的性质和广阔的
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碳化硅，半导体
目前，碳化硅市场正处于快速增长中，根据各大咨询机构统计，碳化硅在电源的功率因数校正（PFC）、太阳能逆变器、光伏逆变器、不间断电源、5G、通信电源、高频开关电源等领域都拥有非常广阔的市场。与传统硅材料相比，新一代的宽禁带半导体材料碳化硅可提供高场强、高能隙，以及高电子移动速度和热导率，让下一代半导体器件的性能得到革命性提升。
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安森美 SiC 碳化硅
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应
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碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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