- 韩国产业资源部近日宣布，韩国光州科学技术院教授黄贤尚领导的科研小组成功开发出了变阻存储器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）元件的核心原创技术，这一技术足以克服新一代存储器闪存芯片的缺陷。 据介绍，迄今为止，闪存芯片存在的最大缺陷是信息存储和刷新的时间长，存储容量难以达到３２千兆位（Ｇｂ）以上。 专家介绍说，黄贤尚科研小组开发出的“单结晶锶钛氧化物（ＳｒＴｉ０３）”和使这种氧化物保持原有特性的表面
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韩国 存储器
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