- 中国 北京，2024 年 2 月 29 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化
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Qorvo 1200V SiC模块 SiC
- 【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。 相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（VGS(th)
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TO263-7 1200V 沟槽式MOSFET 电动出行
- 赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发SiC（碳化硅）功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯 CEO Claus A.
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赛米控丹佛斯 罗姆 1200V IGBT 功率模块
- 由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖，电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率，具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中，功率损耗的降低可以改善
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VCESAT 1200V 开关 碳化硅
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