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3nm finfet 文章 进入3nm finfet技术社区

从7nm到3nm GAA,三星为何激进地采用EUV?

  • 半导体业界为EUV已经投入了相当庞大的研发费用,因此也不难理解他们急于收回投资。虽然目前还不清楚EUV是否已经100%准备就绪,但是三星已经迈出了实现大规模量产的第一步。
  • 关键字: 三星  EUV  3nm   

GF宣布将在既有14/12纳米FinFET制程节点基础上,向外扩展应用领域

  •   自从28纳米制程节点向下转进以来,就剩下四大晶圆代工厂商持续巩固先进制程:台积电、三星电子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特尔(Intel)。但在这四大厂商转进16/14纳米先进制程过程中,又以GF历经最多波折,但最终,GF寻求向三星取得14纳米制程授权,更成功将该节点制程落实在自家晶圆厂。随后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU与PolarisGPU系列产品的成功,均可说是GF旗下晶圆厂14纳米制程终于达到良率开出顺利,并且改善制程足以提供更明
  • 关键字: GF  FinFET  

格芯终止7nm FinFET工艺研发,接下来要发大招?

  • 和其他晶圆厂一样,格芯正在迎来各种各样的挑战。
  • 关键字: 格芯  7nm  FinFET  

FinFET对动态功耗的影响

  • 现在主要的代工厂都在生产FinFET晶体管,这些FinFET以创纪录的速度实现了从设计到现货产品的转变。FinFET的发展普及一直都比较稳定,因为与平面器件相
  • 关键字: FinFET  动态功耗  

台积电计划2022年量产3nm芯片

  •   台积电在8月14日宣布,公司董事会已批准了一项约45亿美元的资本预算。未来将会使用该预算来修建新的晶圆厂,而现在中国台湾媒体报道称,台积电计划2020年开始建造3nm制程的晶圆厂,希望能够在2022年实现3nm制程芯片的量产。  根据台湾《经济日报》的报道,台湾相关部门通过了「台南科学园区二期基地开发暨原一期基地变更计划环差案」,这项议案主要是为了台积电全新的晶圆制造厂而打造。  据悉,台积电计划2020年开始建造最新的3nm制程的晶圆厂,同时最快可以在2022年实现对于3nm制程芯片的量产。目前台积
  • 关键字: 台积电,3nm,芯片  

中芯国际14纳米FinFET制程开始客户导入,Q2营收同比增长18.6%

  •   9日中芯国际集成电路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的综合经营业绩。中芯国际第二季度销售额为8.907亿美元,与上一季度环比增长7.2%,与去年同比增长18.6%。欣喜的是,14纳米FinFET制程开始进入到客户导入阶段,可以预见量产目标已不遥远。14纳米FinFET制程如果正式量产,对于中芯国际来说将是一个历史性的时刻。不仅可以确保其遥遥领先于国内的竞争对手,更是可以拉近其和国际芯片大厂之间的距离。  根据中芯国际财报,第二季度不含技术授权收入(授权收入)确认的销售额为8.379亿
  • 关键字: 中芯国际  14纳米  FinFET  

利用FinFET优势的六种方式

  • 为了能够充分发挥好工艺制程的功耗,性能和面积(PPA)上的优势, 必须要求我们的设计人员将有相关工艺知识的设计战略和优化的IP相结合,其中包括了标准
  • 关键字: FinFET  synopsys  

FinFET布局和布线要经受的重大考验

  • 随着高级工艺的演进,电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时,他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分
  • 关键字: FinFET  布线  

三星侵犯大学专利,赔偿金或高达4亿美元

  •   近日,德克萨斯州联邦陪审团作出一项裁决:三星电子因侵犯韩国技术学院一项专利技术,需向后者支付赔偿金或将高达4亿美元。  据了解,韩国技术学院曾向法院提起诉讼,指控三星电子侵犯了其鳍片晶体管技术(FinFET)制程工艺相关的专利技术。然而三星向陪审团表示,它与韩国技术学院合作开发了这项技术,并否认侵犯了相关专利技术。三星还对这项专利的有效性提出了质疑。就在三星对此不屑一顾时,其对手英特尔公司开始向这项技术的发明者取得许可授权,围绕三星是否侵权的力量博弈发生了改变,三星才开始重视这个事件的严重性。  据悉
  • 关键字: 三星  FinFET  

掌控芯片制造的“火候”,看懂小处用心的美好

  • 小小的芯片,看似简单,却充满了科技之道。只有真的懂得制造工艺与应用原理,了解每一颗芯片生产背后的艰辛,才能看懂制造商从小处用心的美好。
  • 关键字: 芯片  FinFET  

胡正明:技术创新可能让半导体晶体管密度再增加1000倍

  •   “半导体市场正在经历由技术推动到需求推动的转变。而半导体技术上的创新,可能让半导体晶体管密度再增加1000倍,仍有巨大空间。”近日,美国加州大学伯克利分校教授、国际微电子学家胡正明在接受集微网采访时表示。  自1965年摩尔定律提出以来,历经半个多世纪的发展,如今越来越遭遇挑战,特别是新世纪以来,每隔十年,摩尔定律以及半导体的微型化似乎便会遭遇到可能终止的危机。  胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」(FD-SOI),两大革命性创新为半导体带来新契机。 2011年5月
  • 关键字: FinFET  7纳米  

7nm或将引爆2018年手机市场,国产手机岌岌可危

  • 在2018年,如果苹果新一代产品应用7nm制程工艺的消息被确认,那么对于其竞争对手,或将成为一场腥风血雨;而对于整个产业来说,或将成为转折点;对于我们消费者来说,当然是件好事情。
  • 关键字: 7nm  FinFET  

aveni S.A. 运用创新电镀化学,将铜互连扩展至5nm及以下节点以实现BEOL集成

  •   为2D互连和3D硅穿孔封装提供颠覆性湿沉积技术与化学材料的开发商与生产商aveni S.A.今日宣布,其已获得成果可有力支持在先进互连的后段制程中,在5nm及以下技术节点可继续使用铜。  「值此铜集成20周年之际,我们的研究结果证实了IBM研究员Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主题演讲中所表达的意见:『铜集成可持续使用』。」aveni执行长Bruno Morel指出。  由于器件要满足(和创
  • 关键字: aveni  3nm  

暗流涌动 晶圆市场强者生存

  • 目前晶圆代工市场三强分立,Intel、三星、台积电都在积极备战之中。而中国市场也是这些大佬的兵家必争之地,拥有了中国市场便拥有了全世界。晶圆市场暗流涌动,鹿死谁手犹未可知。
  • 关键字: 晶圆  3nm  

摩尔定律:始于半导体 终于物理极限?

  • 摩尔定律的提出只为预测半导体行业的发展趋势,但是随着其在半导体行业的声名鹊起,外界各行各业对于竞相仿效。
  • 关键字: 摩尔定律  3nm  
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