近日，包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看，目前在碳化硅领域，国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟，下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日，据外媒消息，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。据悉，该工厂由Wolfsp
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SiC 8英寸
SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞萨 英飞凌
随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪
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SiC 碳化硅
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案，改善BESS的性能。图1：BESS 实施概览BESS 的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点
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安森美 SiC 电池储能
进入 2024 年，10 多家车企纷纷宣布降价。车企给供应商的降价压力更大，普遍要求降价 20%，过去一般是每年降 3%-5%。有观点认为，车市降价是由于新技术带来的成本下降，但从大背景来看，2 月销量下滑，或是更多企业加入价格战的不得已选择。但从另一个角度来看，成本的下降确实会缓解降价的压力，SiC（碳化硅）会不会是出路呢？降价风波始末2 月 19 日，可以说是一切的开始。降价潮是由比亚迪掀起的，从 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春节假期结束后的 17 天里，比亚迪密集推出了 13 款主力车型的
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SiC
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体近日宣布将参加于2024年3月20-22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展，邀请观众造访由最新氮化镓和碳化硅技术打造，象征着全电气化未来的“纳微芯球”展台。纳微半导体将展出最新的GaNFast™和GeneSiC™应用及解决方案，包括：● 功率水平更高、以应用为导向的GaNSense™ Halfbridge半桥氮化镓技术● 高性能、速度快的第三代高速碳化硅技术● &
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纳微半导体 亚洲充电展 GaN+SiC 快充
纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC（信号改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比当前主流的CAN FD车载通信方案，NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下，进一步兼容CiA 601-4标准，可实现≥8Mbps的传输速率。凭借纳芯微专利的振铃抑制功能，即使在星型网络多节点连接的情况下，NCA1462-Q1仍具有良好的信号质量；此外，超高的EMC表现，更加灵活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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纳芯微 振铃抑制 CAN SIC
先进电机应用（如高转速、高频、高功率密度、高温等）需要相匹配的逆变器支持，但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体解决方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆变器参考设计很好地解决了这一问题。该参考设计整合了CISSOID 公司的SiC高压功率模块和相匹配的集成化栅极驱动器，Silicon Mobility公司的控制板和软件，超低寄生电感的直流母线电容和EMI滤波器，直流和相电流传感器等其它附件。由此为先进电机应用提供了一个已全面集成的完整“傻瓜型”逆变器开发平
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SiC 逆变器 电机 CISSOID Silicon Mobility
中国 北京，2024 年 2 月 29 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化
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Qorvo 1200V SiC模块 SiC
本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度，在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力，需要辅助设备用的高效率电源，而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今，从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂，既需要进一步提升生产效率和产品品质，还需要推进无碳生产（降低功耗和减少温室气体排放）。在以往的制造业中，提高工厂的生产效率和
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电力转换 SiC MOSFET
回首2023年，尽管全球供应链面临多重挑战，但我们看到了不少闪光点，比如AIGC的热潮、汽车电子的火爆，以及物联网的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技术专家牛嘉浩先生为大家带来了他对过去一年的经验总结和对新一年的展望期盼。汽车产业链中的困难与挑战在过去一年中，汽车芯片短缺、全球供应链的复杂性和不确定性及市场需求的变化，可能是汽车产业链最为棘手的难题，汽车制造商需要不断调整生产和采购策略以应对潜在的风险和瓶颈。随着更多传统车企和新兴造车势力进入新能源汽车市场，竞争压力加大，汽车制造商需要不断提
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智能电源 智能感知 汽车领域 SiC
电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。
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GaN SiC
回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco MUGGERI（沐杰励）。全工序SiC工厂今年投产第4代SiC MOS即将量产行家说三代半：据《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》统计，2023年全球新发布碳化硅主驱车型又新增了40多款，预计明年部分
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意法半导体 SiC
2月1日消息，近日，浙江嘉兴平湖市政府公示了“年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器”建设项目规划批前公告。据披露，该项目建设单位为臻驱科技的全资子公司——臻驱半导体（嘉兴）有限公司，臻驱半导体拟投约资6.45亿元在平湖市经济技术开发区新明路南侧建造厂房用于生产及研发等，项目建筑面积达45800m2。公开资料显示，臻驱科技成立于2017年，是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司，总部位于上海浦东，在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模块 碳化硅 SiC
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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