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Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件,助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

  • 新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管,扩展Transphorm多样化的产品封装组合
  • 关键字: Transphorm  TOLT封装  氮化镓  SuperGaN  

SuperGaN使氮化镓产品更高效

  • 1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN(氮化镓)功率半导体领域的全球领先企业,致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前处于开发阶段)氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利,氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司,这意味着在器件开发的每个关键阶段,我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺,直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
  • 关键字: 202310  SuperGaN  氮化镓  GaN  Transphorm  

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案

  • 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm 的 SuperG
  • 关键字: Transphorm  SuperGaN FET  驱动器  
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