采用A3P125和SDRAM该方案采用A3P125和SDRAM的方式实现，由于A3125资源较为丰富，除了可以实现高分辨率的显示以外，还可以实现多图层的功能，功能上高于上述的方案。
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分辨率 显示 方案 多功能 实现 A3P125 SDRAM 基于
三星电子(Samsung Electronics)韩国器兴厂24日下午停电约1小时，虽然三星官方指出影响不大，但业界对于已极度缺货的DRAM市场相当紧张，甚至传出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影响，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存储器零组件都供货吃紧，三星跳电事件恐让存储器供应链出现供货排挤效应。
三星器兴厂发生停电意外，在启动不断电系统 (UPS)后，1小时内便恢复运作，估计此事件对公司营运影响不大。
存储器业者指出，这次三星受影响厂区
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三星电子 DRAM SDRAM 存储器
据台湾媒体报道，威刚科技董事长陈立白(Simon Chen)今日表示，从第二季度开始，动态随机存储器(DRAM)市场可能会面临供应短缺问题，到今年下半年，供需缺口可能会达到10%。
据报道，很多DRAM生产商已将部分DDR-2芯片产能转为生产DDR-3，这推动DDR-2芯片价格在传统淡季第一季度出现上涨。
报道称，自春节假期结束以来，DDR2现货价格已上涨6.8%。
威刚科技主要生产USB闪盘驱动器。
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威刚 DRAM DDR2
据台湾经济日报报道，内存(DRAM)补货潮号角响起，DDR2现货价打破传统淡季束缚率先表态，农历年后上涨近7%，创近一个多月新高。相关大厂如力晶、茂德、威刚等可望受惠，但科技大厂可能得要担心，资讯产品供应链下半年会出现缺货潮。
威刚董事长陈立白指出，电子大厂都在谈缺工，其实缺工问题不大，缺货才是下半年大难题。主要是笔记型与桌上型电脑等产品会面临这个问题。
根据集邦科技(DRAMeXchange)26日的报价，1Gb DDR2有效测试颗粒(eTT)上涨逾2%，均价2.35美元，创近一个多月新
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茂德 DDR2 DRAM
报道，威刚主席Simon Chen今天表示，随着DRAM制造商把重点放在DDR3芯片生产上，DDR2芯片的出货量将开始减少，其价格有望在今年下半年超过DDR3。
Simon Chen认为，DDR2在低端PC市场还是比较受欢迎。如果1Gb DDR2的价格低于2美元，那么它需求将会出现大幅度增长。
Simon Chen还表示，上游芯片供应商纷纷通过工艺升级的方式来加大DDR3芯片的产量，不过这种升级或许会因为其它设备的供应短缺而延缓。
根据DRAMeXchange的监测，1Gb DDR2
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DRAM DDR3 DDR2
在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。
但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走在前列，营业利润率为19%，营业收入达22亿美元，市场份额扩大到35.5%的最高水平。
DDR3来临
第三季度，下一代DRAM技术——DDR3看到希望，而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli公司预测，DDR3出货量将在2010年第一季度超
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DRAM DDR3 DDR2
上海芯片代工厂中芯国际自新任CEO王宁国掌权后，包括中芯本身、武汉厂新芯、成都厂成芯等可掌控产能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生产业务。
由于中芯过去两年以SDRAM填补产能，成为国内消费性电子产品及家电市场SDRAM最大供应商，此次停产后导致市场供货短缺效应逐步发酵，128Mb及256Mb x32规格SDRAM现货价近日飙出新天价，台湾地区SDRAM供应商受惠最大。
中芯这两年因SDRAM月投片产能维持在2万片8吋芯片规模，在大陆消费性电子及家电市场，拥有超过30%的市场占有率，
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中芯国际 芯片代工 SDRAM
2010年PC主流内存标准从DDR2向DDR3的转换正在逐步成为现实。据台湾媒体报道，由于下游厂商的DDR2订单量近期出现急剧下滑，多家台系DRAM芯片制造商都在加快产能从DDR2向DDR3转换的步伐。根据稍早前的报道，台湾力晶(PSC)半导体以及他们和日本尔必达合资的瑞晶电子(Rexchip)预计，今年第一季度DDR3晶圆在其总产能中所占比例 将超过70%。而去年第三季度，DDR3颗粒占其产量的比例还不足5%。从去年第四季度开始，力晶和瑞晶已经明显加快了增产DDR3的步伐。
另一家DRAM大厂
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DRAM DDR2 DDR3
DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和瑞晶，预计第1季底DDR3比重将达70%，速度超乎预期。不过，亦有业者认为，若大家都抢著把DDR2产能转走，说不定会意外让DDR2跌势止稳，反而有利于DDR2价格走势。
台 DRAM厂表示，原本业者认为在农历春节前DDR2买气还有最后一搏机会，因为DDR2若
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DRAM DDR2 DDR3 存储器
韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。
这款内存芯片产品的数据传输率可达1066Mbps，并将以小型封装(如MCP/POP封装形式)的形式进行供货。
Hynix宣称这款芯片产品采用了44nm制程技术制作，工作电压仅1.2V，位宽为32位的配置条件下，使用这种芯片的内存系统带宽可达4.26GB/s。另外，这
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Hynix 44nm DDR2 内存芯片
2009 年即将结束，DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世，iSuppli 公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。
DDR2 还不算过时，而且未来一段时间之内也不会过时，它的价格在过去数月大幅上涨。然而，DDR3 将是2010 年的摇钱大树。
主要有两个原因在推动产业向DDR3 过渡：英特尔新款处理器和制造工艺的成熟。
新款英特尔处理器
促进产业向DDR3 过渡的一个事实是，新款英特尔微处理器将需要DDR3 内
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DRAM DDR2 DDR3
2009 年即将结束，DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世，iSuppli 公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。
DDR2 还不算过时，而且未来一段时间之内也不会过时，它的价格在过去数月大幅上涨。然而，DDR3 将是2010 年的摇钱大树。
主要有两个原因在推动产业向DDR3 过渡：英特尔新款处理器和制造工艺的成熟。
新款英特尔处理器
促进产业向DDR3 过渡的一个事实是，新款英特尔微处理器将需要DDR3 内
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DRAM 存储 DDR3 DDR2
1 引言 DDR3 SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）制定的全新下一代内存技术标准，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信号质量更好等优点，对于解决高速系统(例如某些高速图 像处理系统)设计中由于存储
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控制器 设计 SDRAM DDR3 Stratix III 基于 控制器
存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展，对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、读写速度快
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SDRAM 多路 读写 接口设计
韩国Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品通过了Intel的认证，Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品，另外他们还宣称面向服务器应用的Registered DIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成。
这次通过验证的Hynix产品有2Gb DDR3 SDRAM内存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(笔记本内存条)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型内存条)，验证时的运行频率为1333MHz，芯片电压为1.5V。
Hynix宣称
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Hynix 40nm SDRAM 50nm
ddr2-sdram介绍
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