可靠的电压监控器IC始终是工业界的行业需求，因为它可以提高系统可靠性，并在电压瞬变和电源故障时提升系统性能。半导体制造商也在不断提高电压监控器IC的性能。监控器IC需要一个称为上电复位（VPOR）的最低电压来生成明确或可靠的复位信号，而在该最低电源电压到来之前，复位信号的状态是不确定的。一般来说，我们将其称之为复位毛刺。复位引脚主要有两种不同的拓扑结构，即开漏和推挽（图1），两种拓扑结构都使用NMOS作为下拉MOSFET。图1. 复位拓扑的开漏配置和推挽配置图2. 复位电压如何与上拉电压（VPULLUP）
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ADI IC
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时，SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用和测量的挑战，稍有不慎就无法获得正确的波形，从而严重影响到器件评估的准确、电路设计的性能和安全、项目完成的速度。SiC、GaN动态特性测量中，最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压VGS的测量，包括两个部分：开关过程和Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的，这会导致设备和人员危险，同时还会由
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SiC GaN 栅极动态测试 光隔离探头
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
集成电路是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是世界主要国家和地区抢占工业经济制高点的必争领域。为了进一步鼓励我国具有市场竞争实力和投资价值的集成电路企业健康快速发展，进一步总结企业发展的成功模式，挖掘我国集成电路领域的优秀创新企业，对优秀企业进行系统化估值，提升企业的国际和国内影响力。在连续成功举办四届遴选活动的基础上，由赛迪顾问股份有限公司、北京芯合汇科技有限公司联合主办的2021-2022（第五届）中国IC独角兽遴选活动历时两个月，收到企业自荐及机构推荐
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IC 独角兽
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异，同时减少了组件总数，节省了宝贵的电路板空间。 贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两
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贸泽电子 GaN 半桥双极驱动开关
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计，可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。GaN 器件是耗尽型 FET，运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA 的系统中，需要以特定的顺序进行偏置：提高漏极偏置电压之前，必须施加负栅极电压，以保护器件免受损坏。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 内置可配置
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GAN PA
1 回顾：GAN里的两个角色在上一期里，详细介绍了 GAN( 生成对抗网 ) 里的
两个角色：生成者 (generator) 和判别者 (discriminator)。
其中的生成者，又称为创新者，而判别者又称为鉴赏者。
在常见的图像绘画领域，其典型的协同创新模式是：
G( 创新者 ) 负责创作图片；而 D( 鉴赏者 ) 负责辨别一
张图像的真或假，然后引领 G 逐步改进，止于完美逼
近目标。上述的 GAN 协同创新模式，属于 AI 机器与机器之
间的协同合作或创新。然而，在 AI 科技不断
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202206 GAN 人机协同
宜普电源转换公司（EPC）新推线上论坛，为工程师提供产品信息、答疑解难和分享採用氮化镓技术的应用现状和发展趋势。宜普电源转换公司宣布新推"GaN Talk支持论坛"，为工程师提供产品信息和技术支持，从而了解氮化镓（GaN）技术的应用现状和发展趋势。该论坛专为工程师、工程专业学生和所有氮化镓技术爱好者而设，为用户答疑解难和提供互相交流的平台。提问可以用主题类别、热门话题或最新帖子搜索。除了提问外，用户还可以在论坛使用帖子中的"分享"链接参看所有之前的提问和反馈。此外，
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GaN 宜普
5G 通信正在改变我们的生活，同时也在促进产业数字化转型，为工业、汽车和消费电子等行业提供了巨大的应用想象空间与市场机会，例如实现创建人与机器人和谐共存的环境，高质量医疗，并且加速实现安全的自动驾驶汽车，等等。● 打造未来智能工厂——5G 无线网络可以帮助工厂实现更高的可靠性，例如缩短延迟时间、提高生产效率。在人与机器人共存的世界里，更强的连接可以改善人机互动，并降低事故风险。● 提供高质量的医疗服务——通用5G 连接可以借助可穿戴生物传感器对患者实施远程监测，进行生命体征检测，并将信息传输给基于云的诊断
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202206 毫米波 5G GAN
5G 受到追捧是有充足的理由的。根据CCS Insight 的预测，到2023 年，5G 用户数量将达10 亿；2022 年底，5G蜂窝基础设施将承载近15％的全球手机流量。高能效、尺寸紧凑、低成本、高功率密度和高线性度是5G 基础设施对射频半导体器件的硬性要求。对于整个第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN），5G 开始商用是一大利好。与硅、砷化镓、锗、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的开关频率、输出功率和工作温度更高，适合1-110 GHz的高频通信应用，涵盖移动通信、无线网络、点对点和点对多点微波通
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202206 第三代半导体 GaN
随着全球通膨疑虑升高及能源成本飙升，加上大陆因疫情实施封控，以及俄乌战争悬而未决，经济逆风对今年全球经济成长将造成挑战，但包括Gartner及IC Insights等市调机构仍预估，今年全球半导体市场仍会较去年成长一成以上。IC Insights表示，今年全球半导体总销售额仍可年增11％，与今年初预测相同，但外在变化造成的不确定性，导致芯片销售成长幅度或有消长。其中，微处理器及功率分离式组件销售将高于先前预期，包括嵌入式处理器及手机应用处理器成长强劲，功率组件价格续涨且成长幅度增加，至于CMOS影像传感器
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Gartner IC Insights 半导体市场
德州仪器(TI)副总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣，26日于2022 COMPUTEX Taipei论坛中表示，TI将协助客户充分发挥氮化镓（GaN）技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。李原荣今日以「数据中心正在扩建 – 以氮化镓技术实现更高效率」为题，分享设计工程师如何利用TI 氮化镓技术为数据中心达成体积更小、更高功率密度的解决方案。李原荣表示，随着各产业领导者期盼透过数据中心实现技术创新，从而也提高了运算能力的需求，TI希望协助客户充分发挥氮化镓技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。他也强调，
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TI GaN 数据中心 能源效率
1 GAN与NFT的结合在上一期里，我们说明了天字第一号模型：分类器。接着本期就来看看它的一项有趣应用：GAN(generative adversarial networks，生成对抗网络)。自从2014 年问世以来，GAN 在电脑生成艺术(generative art) 领域，就开始涌现了许多极具吸引力的创作和贡献。GAN 如同生成艺术的科技画笔，使用GAN 进行创作特别令人振奋，常常创作出很特别的效果，给人们许多惊喜的感觉，例如图1。 图1近年来，非同质化代币NFT(
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202205 生成对抗网路 GAN
当世界继续努力追求更高速的连接，并要求低延迟和高可靠性时，信息通信技术的能耗继续飙升。这些市场需求不仅将5G带到许多关键应用上，还对能源效率和性能提出了限制。5G网络性能目标对基础半导体器件提出了一系列新的要求，增加了对高度可靠的射频前端解决方案的需求，提高了能源效率、更大的带宽、更高的工作频率和更小的占地面积。在大规模MIMO（mMIMO）系统的推动下，基站无线电中的半导体器件数量急剧增加，移动网络运营商在降低资本支出和运营支出方面面临的压力更加严峻。因此，限制设备成本和功耗对于高效5G网络的安装和
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氮化镓 GaN
近期，苹果“爆料大神”郭明錤透露，苹果可能年某个时候推出下一款氮化镓充电器，最高支持30W快充，同时采用新的外观设计。 与三星、小米、OPPO等厂商积极发力氮化镓快充产品相比，苹果在充电功率方面一直较为“保守”。去年10月，伴随新款MacBook Pro的发布，苹果推出了140W USB-C电源适配器（下图），这是苹果首款采用氮化镓材料的充电器，售价729元。图片来源：苹果 如今，苹果有望持续加码氮化镓充电器，氮化镓功率半导体市场有望迎来高歌猛进式发展。手机等快充需求上升，氮化镓功率市场规模将达1
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氮化镓 GaN
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