HBM 的未来不仅是光明的：它还具有光速、超带宽和超低功耗。 在今年的开放计算项目 (OCP) 全球峰会上，三星先进封装团队 Yan Li 向我们展示了一个比我们想象的更加集成的未来：随着高带宽内存 (HBM) 的进一步发展，热和晶体管密度问题可能会得到解决。 通过光子学来解决。 光子学基于一种可以对单个光子（光的粒子/波）信息进行编码的技术，这意味着它改善了（几乎）我们当前计算环境中我们关心的一切。 功耗大幅降低（发射的是光粒子而不是电子流），处理速度也得到提高（延迟达到飞秒级，传播速度接近光
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在消费级存储市场低迷的背景下，高带宽存储器（HBM）技术已成为新的驱动力，最新报告指出三星和美光两家公司正积极筹备扩张HBM DRAM 。三星耗资105亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大HBM产能。三星还计划再投资7000亿至1万亿韩元，用于新建新的封装线。此前报道，三星副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人Hwang Sang-jun先生透露，三星已开发出速度为9.8Gbps的HBM3E，并计划开始向客户提供样品。同时，三星还正在开发HBM4的各种技术，包括针对高温热特性和混合键
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IT之家 11 月 8 日消息，在消费级存储市场低迷的背景下，高带宽存储器（HBM）技术已成为新的驱动力，最新报告指出三星和美光两家公司正积极筹备扩张 HBM DRAM。图源：三星最新报道称三星电子耗资 105 亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大 HBM 产能。三星电子还计划再投资 7000 亿至 1 万亿韩元，用于新建新的封装线。IT之家此前报道，三星电子副总裁兼 DRAM 产品和技术团队负责人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已开发出速度为 9.8Gbp
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由于各大企业对布局AI领域的兴趣激增，同时，SK海力士在用于生成式AI领域的高带宽存储器（HBM）DRAM方面处于市场领先地位，其二季度用于AI领域的高性能DRAM销售增长强劲，对高端DRAM的需求增长了一倍多。继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3，包括AMD、微软和亚马逊等等。
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近日，HBM 成为芯片行业的火热话题。据 TrendForce 预测，2023 年高带宽内存（HBM）比特量预计将达到 2.9 亿 GB，同比增长约 60%，2024 年预计将进一步增长 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 内存概念，在 2013 年被 SK 海力士通过 TSV 技术得以实现，问世 10 年后 HBM 似乎真的来到了大规模商业化的时代。HBM 的概念的起飞与 AIGC 的火爆有直接关系。AI 服务器对带宽提出了更高的要求，与 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的带宽和更
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为解决高速运算下，存储器传输速率受限于DDR SDRAM带宽而无法同步成长的问题，高带宽存储器（High Bandwidth
Memory，HBM）应运而生，其革命性传输效率是让核心运算元件充分发挥效能的关键。据TrendForce集邦咨询研究显示，目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流，预估2023年全球HBM需求量将年增近六成，来到2.9亿GB
，2024年将再成长三成。TrendForce集邦咨询预估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC产品5款、Midjourney的
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AI服务器需求，带动HBM提升，继HanmiSemiconductor之后，又有一存储大厂在加速HBM布局。据韩媒《TheKoreaTimes》6月27日报道，三星电子将于今年下半年开始批量生产高带宽内存（HBM）芯片，以满足持续增长的人工智能（AI）市场。根据报道，三星将量产16GB、24GB的HBM3存储芯片，这些产品数据处理速度可达到6.4Gbps，有助于提高服务器的学习计算速度。三星执行副总裁Kim
Jae-joon在4月份的电话会议上表示，该公司计划在今年下半年推出下一代HBM3P产品，以满
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2023年ChatGPT引发的AI热潮仍在继续，近期媒体报道，今年拥有云端相关业务的企业，大多都向英伟达采购了大量GPU，目前该公司订单已排至2024年。同时，由于英伟达大量急单涌入，晶圆代工企业台积电也从中受益。据悉，英伟达正向台积电紧急追单，这也令台积电5纳米制程产能利用率推高至接近满载。台积电正以超级急件（superhotrun）生产英伟达H100、A100等产品，而且订单排至年底。业界认为，随着ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速发展，未来市场对GPU的需求将不断上升，并将带动HBM以及
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治疗癌症、减缓全球变暖、保护生态健康——当今世界充满了各种挑战。因此，通过科技紧跟时代发展步伐，并充分利用不断增长的数据至关重要。这不仅涉及数据的处理速度，也涉及能够处理的海量数据，以及数据在内存和处理器之间的传输速度。 英特尔设计工程部首席工程师、英特尔®至强® CPU Max系列（代号Sapphire Rapids HBM）首席架构师Ugonna Echeruo如此描述这一挑战：究其根本，一颗CPU是从内存获取信息、对其进行处理并更新。CPU最终可以处理的信息量受限于数据传输“管道”的宽窄。
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AI服务器出货动能强劲带动HBM（high bandwidth
memory）需求提升，据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士（SK
hynix）50%、三星（Samsung）约40%、美光（Micron）约10%。此外，高阶深度学习AI
GPU的规格也刺激HBM产品更迭，2023下半年伴随NVIDIA H100与AMD
MI300的搭载，三大原厂也已规划相对应规格HBM3的量产。因此，在今年将有更多客户导入HBM3的预期下，SK海力士作为目
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高带宽存储器（HBM, High Bandwidth
Memory）是一种可以实现高带宽的高附加值DRAM产品，适用于超级计算机、AI加速器等对性能要求较高的计算系统。随着计算技术的发展，机器学习的应用日渐广泛，而机器学习的基础是自20世纪80年代以来一直作为研究热点的神经网络模型。作为速度最快的DRAM产品，HBM在克服计算技术的局限性方面发挥着关键的作用。HBM的高带宽离不开各种基础技术和先进设计工艺的支持。由于HBM是在3D结构中将一个逻辑die与4-16个DRAM die堆叠在一起，因此开发过
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2020年6月28日，半导体和电子行业的年度盛会SEMICON China在上海隆重举行。全球粘合剂市场的领先者汉高再次亮相此次展会，粘合剂技术电子材料业务在展会期间全方位展示了应用于先进封装、存储器和摄像头模组等领域的创新产品和解决方案。先进封装目前，全球半导体产业正处于一段转折期，数据爆炸性增长推动了以数据为中心的服务器、客户端、移动和边缘计算等架构对高性能计算的需求，对5G部署、手持设备封装中小型化和集成的持续需求，这些趋势推动了先进封装逐步进入成熟期。当前半导体和封装技术快速发展，对于芯片与电子产
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挹注次世代存储器半导体技术研发投资的三星电子(Samsung Electronics)和英特尔(Intel)为打破存储器业界最大议题频宽(bandwith)的上限，正各自寻找解决方法。三星专注于研发高频宽存储器(HBM)和次世代SRAM技术，英特尔则正在研发嵌入式DRAM(eDRAM)。
据Digital Times报导，英特尔预计2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，将采用14纳米FinFET制程，搭载较Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
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除了在存储市场上作为老牌厂商的SK海力士之后，韩系的另外一个存储巨头的三星也进入了HBM存储芯片市场，并且开始在2016年第一季度开始大规模生产。而有消息称SK海力士以及三星将为NVIDIA的帕斯卡系列GPU生产第二代HBM芯片。
业内人士指出，无论是三星电子还是SK海力士都正在计划为NVIDIA下一代图形显卡帕斯卡生产第二代高带宽显存芯片，而实现大规模生产的时间预计在2016年的第一季度，但在这之前的试产以及生产的可靠性测试已经由SK海力
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作为最老资历的PC组成部件，内存及内存存储体系已经拥有了几十年的历史，其漫长的发展过程曾伴随数次重要的变革，但纵观这些变革，无论是从FP到EDO还是从SD到DDR，在意义上均无法与即将发生的这场革命相提并论，这场革命的名字，叫堆叠内存。
目前，按照堆叠方式及位置的不同，堆叠内存体系可以被分为2.5D和3D两种存在形式。而又因为内存还依标准不同还划分成了两大阵营，分别是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、镁光/三星
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