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NAND市场增长放缓芯片厂欲推迟建厂计划
- 日前，全球领先的闪存供应商晟碟和东芝公司在日本签署了一项合作协议，表示双方将共同兴建NAND闪存工厂(Fab5)，以应对未来市场对NAND闪存的需求，该工厂预计将于2010年投产。 市场研究公司AmericanTechnologyResearch分析师道格•弗里德曼(DougFreedman)表示：“我们相信大部分的投资者都希望Fab5工厂能够于2009年就可以投产，因为现在的供求关系依然比较乐观。” 但是闪存供应商们延迟其工厂兴建计划也再一次证明了NAN
- 关键字： 闪存 NAND
ZigBee技术 无线传感器网络节点 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例，对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用，完成了硬件接口设计和软件设计，并给出硬件连接图和部分程序代码。 关键词 NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统 1 NAND Flash和NOR Flash 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手
- 关键字： NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统
NAND Flash上均匀损耗与掉电恢复在线测试
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低价格等优势迅速成为嵌入式系统存储的新宠，因此其上的文件系统研究也日益广泛，本文简要介绍了常用的NAND Flash文件系统YAFFS，并针对YAFFS在均匀损耗和掉电恢复方面进行在线测试。在给出测试结果的同时，着重研究嵌入式软件测试方案和方法;对测试结果进行分析，并提出改进方案和适用环境。 关键词 NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS 引 言 随着嵌入式技术在各种电子产品中的广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和管理已经成为一个重要
- 关键字： NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS
商刊：英特尔NAND闪存面临多重问题
- 北京时间3月5日《商业周刊》文章指出，由于美国经济衰退导致电脑和消费电子产品销售增长减速，对英特尔的NAND闪存芯片业务的利润造成很大压力。 英特尔在2005年下半年宣布与美光科技组成合资公司，共同研发和生产一种名为NAND闪存的内存芯片，这种芯片被广泛应用于各种消费电子产品。两年多来，英特尔巧妙地避过了那些芯片的价格波动。 全球最大电脑芯片厂商英特尔在3月3日晚间宣布，它预计其第一季度毛利率将在54%左右，低于之前作出的56%的预期目标。主要原因在于：NAND闪存的价格低于预期水平。在第
- 关键字： 英特尔 NAND
NAND和NOR flash详解
- NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
- 关键字： NAND NOR flash
分析师称NAND闪存市场可能再次面临崩溃
- 在最近发生了产品种类短缺和平均销售价格走平之后，NAND闪存市场可能会再一次崩溃。 据Needham&Co.LLC公司位分析师EdwinMok称，全球最大的NAND闪存买主苹果计算机公司在12月和1月期间减少了三种类型NAND闪存芯片的采购。现在NAND闪存还没有杀手应用。这些因素都会对NAND闪存市场产生影响。 Mok称，苹果在2006年就曾采取过同样的减少采购的行动，导致了2006年1至9月NAND闪存芯片的供应量超过了需求的70%和价格的下降。 这位分析师称，虽然自从2
- 关键字： NAND 闪存 芯片
内存产业2008年再缠斗 战线不断扩大
- 快闪内存产业的发展在2007年有点出乎各界意料，整个产业的高点反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺货所苦，大家的发展反而绑手绑脚，一路往下滑;2007下半年不但没有传统的消费性电子产品旺季出现，反而NAND Flash价格剧烈的忽上忽下，可说是一团混乱，终于2007年第四季面临了NAND Flash崩跌走势，虽然大家对于「寒流」来袭，都已有心理准备，但仍是不敢大意。 TRI观点： 2007年内存产业的变化多端，出乎大家的意料，然而其中影响甚巨的一个事件，就是Samsun
- 关键字： 内存 NAND Flash MCU和嵌入式微处理器
NAND Flash进军NB/PC应用领域 借以扩大市占率
- 拓墣产业研究所(Topology Research Institute)针对NAND Flash应用市场发表研究报告指出，2008年起，除了由原手持式消费电子产品将继续大量采用NAND Flash作为储存装置外，NAND Flash将通过NB与PC的采用，以混合式硬盘或固态硬盘(SSD)的产品型态，逐步扩大市场占有率，市场需求将从2007年的6.7%增长至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在过去几年快速扩充产品应用领域，从2004年产品应用比例最高的数码相机，到2006年MP3 Pla
- 关键字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微处理器
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [ 查看详细 ]
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