- 2004年6月A版
就低电压高电流电源应用而言，开关式电源栅极驱动要求特别重要。由于几个 MOSFET 器件通常并联以满足特定设计的高电流规范要求，因此单一集成电路控制器与驱动器解决方案就变的不再可行。MOSFET 并联可降低漏极到源极的导通电阻，并减少传导损耗。但是，随着并联器件的增多，栅极充电的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的内部阻抗大大低于驱动级，因此与驱动并联组合相关的大多数功率损耗，其形式都表现为控制器集成电路的散热。因此，许多单片解决方案的驱动级由于并联组合的关系都无法有效地满足
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PWM 模拟IC 电源
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