- 揭开废弃纽扣电池的秘密-监视便携式设备或配套服务系统中纽扣电池的电压等级，对现代 CMOS 运算放大器来说是一项常见的简单应用。
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CMOS CR2032 德州仪器
- 所有这些干扰都是从哪里来的？-自从进入市场以来，CMOS 单电源放大器就给全球单电源系统设计人员带来了极大优势。影响双电源放大器总谐波失真 + 噪声 （THD+N） 特性的主要因素是输入噪声与输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的输入输出级。但是，输入级对 THD+N 的影响可让单电源放大器的这一规范属性变得复杂。
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CMOS 电源放大器 THD
- 硅光子芯片设计突破结构限制瓶颈-当今的硅光子芯片必须采用复杂的制造制程连接光源与芯片，而且也和晶圆级堆栈密不可分。
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硅光子 半导体芯片 CMOS 芯片设计
- cmos+忆阻器实现高效分布式处理兼存储功能的传感器架构-依靠忆阻器执行像素级自适应背景提取算法的成像传感器架构,与全cmos成像传感器相比，基于忆阻器的解决方案可取得更小的像素间距和非易失性存储功能，让设计人员能够使用可编程时间常数建立图像背景模型。
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cmos 忆阻器 传感器
- ccd与cmos的区别及六大硬件技术指标-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后产生电子的基本原理相同，但是读取过程不同：CCD 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移，整个电路非常复杂，读出速率慢；CMOS 则以类似 DRAM的方式读出信号，电路简单，读出速率高。
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ccd cmos 图像传感器
- 图像传感器原理及分类-图像传感器是各种工业及监控用相机、便携式录放机、数码相机，扫描仪等的核心部件。目前，这个快速增长的市场现在已经延伸到了玩具、手机、PDA、汽车和生物等领域。
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图像传感器 CCD CMOS
- DIGITIMESResearch观察触控与显示驱动整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市场发展，由于增加HybridIn-Cell型态产品，以及面板业者导入TDDI动机提升等因素带动，2017年全球TDDI出货量将较2016年成长191%，其中，台系业者市占率将达近4成，从过去由新思(Synaptics)一家独大局面中突围。
TDDI芯片又称IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中华区智能型手
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a-Si TDDI
- 本文主要对电路设计常用接口类型进行了简要说明，下面一起来学习一下： (1)TTL电平接口： 这个接口类型基本是老生常谈的吧，从上大学学习模拟电路、数字电路开始，对于一般的电路设计，TTL电平接口基本就脱不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以内，这是由于BJT的输入端存在几个pF的输入电容的缘故(构成一个LPF)，输入信号超过一定频率的话，信号就将“丢失”。它的驱动能力一般最大为几十个毫安。正常工作的信号电压一般较高，要是把它和信号电压较低的ECL电路接近时会产生比较明显的串扰问题。
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TTL CMOS
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