当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的,因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律,硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰,这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET 以解决此问题。由于2D 材料具有二维表面,因此它们具有更好的迁移率水平,包括在 0.7 A 下实现激进的沟道长度缩放。自从在现代电子产品中引入场效应晶体管 (FET) 以来,理论和应用电路技术已经取得了多项改进。FET 是低频和中频的低噪声放大器以及高输入阻抗放大器、电荷敏感放
今日,盛美上海宣布,首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单。盛美上海指出,该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商,预计将在2023年第三季度末发货。当前,以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)为主的第三代半导体迅速发挥发展,其中整体产值又以碳化硅占80%为重。据悉,碳化硅衬底用于功率半导体制造,而功率半导体被广泛应用于功率转换、电动汽车和可再生能源等领域。碳化硅技术的主要优势包括更少的开关能量损耗、更高的能量密度、更好的散热,以及更强的带宽能力。汽车和可再生能源等行业对功率半导体需求的增加
自上世纪五十年代以来,以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝,尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料,但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)受到大众关注。近段时间,GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日,英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems,交易总值 8.3 亿美元(约 57.3 亿人民币)。根据公告,英飞凌计划
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”(非常适用于高耐压三相直流电机驱动)和半桥模块“SA110”“SA111”(非常适用于众多高电压应用)两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
EV 车载充电器和表贴器件中的半导体电源开关在使用 SiC FET 时,可实现高达数万瓦特的功率。我们将了解一些性能指标。引言在功率水平为 22kW 及以上的所有级别电动汽车 (EV) 车载充电器半导体开关领域,碳化硅 (SiC) MOSFET 占据明显的优势。UnitedSiC(如今为 Qorvo)SiC FET 具有独特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 级联结构,其效率高于 IGBT,且比超结 MOSFET 更具吸引力。不过,这不仅关乎转换系统的整体损耗。对于 EV 车主来说,成本、尺寸和