2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块换成了 SiC 模块，成为第一家在量产汽车中使用 SiC 芯片的电动汽车公司。特斯拉的使用结果表明，在相同功率等级下，SiC 模块的封装尺寸明显小于硅模块，并且开关损耗降低了 75％。换算下来，采用 SiC 模块替代 IGBT 模块，其系统效率可以提高 5％左右。一场特斯拉的大风，引燃了 SiC。然而，就在刚刚过去的 3 月份，特斯拉却突然宣布，下一代的电动车传动系统 SiC 用量大减 75%，因借创新技术找到下一代电动车动力系统减少使用 S
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SiC
“现在的新车，只要能用碳化硅的地方，便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体（ST）曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下，在全球半导体行业的逆流中，第三代半导体正闪烁着独特的光芒，作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上，各方纷纷加大马力，坚定下注，一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日，科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示，2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周
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第三代半导体 SiC GaN
牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件，功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此，为了构建下一代牵引逆变器系统，业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。图 1 所示的隔离式栅极驱动器集成电路 (IC) 提供从低电压到高电压（输入到输出）的电隔离，驱动逆变器每相的高边和低边功率模块，并监测和保护逆变器免受各种故障的影响。根据汽车安全完整性等级 (ASIL) 功能安全要求，栅极驱
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SiC 牵引逆变器
· 纬湃科技正在锁定价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅（SiC）产能· 纬湃科技通过向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的产能投资，获得这一关键的半导体技术，以实现电气化的强劲增长· 除了产能投资外，两家公司还将在进一步优化主驱逆变器系统方面达成合作 2023年
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纬湃 安森美 碳化硅 SiC
中国北京，2023年5月31日—— 全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展，泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自动可重复的、高精度测量功能。下一代功率转换器设计师现在能够利用WBG-DPT解决方案，满怀信心地迅速优化自己的设计。WBG-DPT解决方案能够在泰克4系、5系、6系MSO示波器上运行，并能够无缝集成到示波器测量系统
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泰克 示波器 双脉冲测试 SiC GaN
2020 年初，疫情期间的封锁政策并未对电动汽车行业造成太大影响。2021 年，由于疫情期间人们对电动汽车的需求上升，再加上全球各国政府纷纷采取激励措施，电动汽车充电站的需求量开始增加。在过去的三年里，电动车领导品牌的销量纷纷呈现巨幅成长的趋势。 低成本、低排放汽车的不断发展，将推动整个亚太地区的电动汽车市场实现稳步扩张。同时，不断加码的政府激励措施和持续扩张的高性能车市场也推动着北美和欧洲地区电动汽车市场的快速增长。因此，根据MarketsandMarkets 市调数据估计，全球电动汽车市场规模将从 2
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车用 电能转换 车电领域 IGBT SiC 功率模块
“引言”近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。 在焊机行业，诸如提高效率、降低成本和增强便携性（即，缩小尺寸并减轻重量）等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如，多
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增强互连封装技术 SiC MOSFET单管 焊机
IT之家 5 月 18 日消息，安森美半导体表示将投资 20 亿美元，用于扩展现有工厂，目标在全球汽车碳化硅（SiC）芯片市场中，占据 40% 的份额。安森美半导体目前在安森美半导体美国、捷克共和国和韩国都设有工厂，其中韩国工厂已经在生产 SiC 芯片了。报道中并未提及安森美半导体具体会扩建哪家工厂，安森美半导体计划构建完整产业链，实现从 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半导体预估到 2027 年占领全球碳化硅汽车芯片市场 40% 的份额。专家还表示到 2027 年，安森美半导体的销售
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汽车电子 安森美 SiC
2023 年 SiC 衬底市场将持续强劲增长。
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SiC
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用，采用隔离降压拓扑结构，需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少，并且不需要光耦合器，从而节省了物料清单成本和 PCB面积。 L6983i 的其他优势包括 2µA 关断电流，集成软启动时间可调、内部环路补偿、电源正常指示，以及过流保护、热关断等保护功能。扩
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意法半导体 隔离式降压转换器 功率转换 IGBT SiC GaN 晶体管栅极驱动
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势，因为使用更高的电压意味着系统可以在更低的电流下运行，同时实现相同的功率输出。较低电流的优点是损耗较低，需要管理的热耗散较少，还有利于使
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安森美 IGBT SiC
碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。先进的器件设计都会非常关注导通电阻，将其作为特定技术的主要基准参数。然而，工程师们必须在主要性能指标（如电阻和开关损耗），与实际应用需考虑的其他因素（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。优秀的器件应该允许一定的设计自由度，以便在不对工艺和版图进行重大改变的情况下适应各种工况的需要。然而，关键的性能指标仍然是尽可能低的比电阻，并结合其他重要的参数。图1显示了我们认为必不可少的几个标准，或许还
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英飞凌 SiC MOSFET
据国外媒体报道，德国博世集团于本周三表示，将收购美国芯片制造商TSI半导体公司的资产，以扩大其碳化硅芯片（SiC）的半导体业务。目前，博世和TSI公司已经达成协议，但并未透露此次收购的具体细节，且这项收购还需要得到监管部门的批准。资料显示，TSI是专用集成电路 (ASIC) 的代工厂。目前，主要开发和生产200毫米硅晶圆上的大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学等行业的应用。而博世在半导体领域的生产时间已超过60年，在全球范围内投资了数十亿欧元，特别是在德国罗伊特林根和德累斯顿的水厂。博世认为，此次收购
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博世 TSI 半导体 SiC
4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体制造工厂的奠基仪式。该工厂是其主要的分立半导体生产基地。施工将分两个阶段进行，第一阶段的生产计划在2024财年内开始。东芝还将在新工厂附近建造一座办公楼，以应对人员的增加。此外，今年2月下旬，日经亚洲报道，东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息，东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节，布局完成后将形成：外延设备+外
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功率半导体 IGBT MOSFET SIC
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1 000 V）。而IGBT 虽然可以在高压下使用，但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
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SiC MOSFET 栅极驱动 安森美
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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