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电压折回现象 文章 进入电压折回现象技术社区

550V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计

  • 逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底,利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离,进而实现了完全消除电压折回现象。
  • 关键字: 逆导型横向绝缘栅双极晶体管  电压折回现象  绝缘体上硅  导通压降  关断损耗  202009  
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电压折回现象介绍

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