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使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究

• 现代半导体工艺极其复杂，包含成百上千个互相影响的独立工艺步骤。在开发这些工艺步骤时，上游和下游的工艺模块之间常出现不可预期的障碍，造成开发周期延长和成本增加。本文中，我们将讨论如何使用 SEMulator3D®中的实验设计 (DOE) 功能来解决这一问题。在 3D NAND 存储器件的制造中，有一个关键工艺模块涉及在存储单元中形成金属栅极和字线。这个工艺首先需要在基板上沉积数百层二氧化硅和氮化硅交替堆叠层。其次，在堆叠层上以最小图形间隔来图形化和刻蚀存储孔阵列。此时，每层氮化硅（即将成为字线）的外表变得像
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