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台积电已启动2nm试产前置作业,将导入英伟达DGX H100系统使用cuLitho加速

发布人:传感器技术 时间:2023-06-06 来源:工程师 发布文章

6月5日消息,据业内消息,晶圆代工大厂台积电近期已经启动了2nm试产的前置作业,将搭配导入最先进AI系统来实现节能减碳,并加速试产效率,预计苹果、英伟达(NVIDIA)等大厂都将会是台积电2nm量产后的首批客户。

消息人士透露,台积电为应对2nm试产前置作业,内部也开始调度工程师人力到竹科研发厂区做准备,预计召集千人以上的研发部队,初期会先在竹科建立小量试产生产线,目标今年试产近千片,试产顺利后,将导入后续建设完成的竹科宝山Fab 20厂,由该厂团队接力冲刺2024年风险试产与2025年量产目标。

对于传闻,台积电6月4日表示“不评论相关传闻”,但强调2nm技术研发进展顺利,预计2025年量产。

公开资料显示,台积电未来最先进的2nm生产基地会先是在竹科宝山Fab 20厂,该厂区为四期规划,后续还将扩至中科,共计有六期的工程。

台积电2nm制程将会首度采用全新的环绕闸极(GAA)晶体管架构。台积电此前在技术论坛中指出,相关新技术整体系统性能相比3nm大幅提升,客户群先期投入合作开发意愿远高于3nm家族初期,并可量身订做更多元化方案。

台积电此前已公布了2nm家族制程蓝图规划,将包括2025年量产的N2,主要为高性能计算(HPC)产品量身打造背面供电设计,将在2025下半年推出;另外,2奈米家族的N2P和N2X预计将在2026年推出。

供应链透露,台积电在客户们的迫切需求推动之下,2nm多项前期作业已展开,最关键是光刻计算方面,一改过去依赖于CPU的方式,将导入以英伟达的DGX H100的AI系统进行协助,大幅提升运算效率,并同步提升光罩产量,大幅减少服务器用电。

在今年的3月的英伟达GTC大会上,英伟达就发布了一项面向芯片制造行业的突破性技术——NVIDIA cuLitho计算光刻库,可以将计算光刻加速40倍以上,使得2nm及更先进芯片的制造成为可能。

“计算光刻是芯片设计和制造领域中最大的计算工作负载,每年消耗数百亿CPU小时。大型数据中心24x7全天候运行,以便创建用于光刻系统的掩膜板。这些数据中心是芯片制造商每年投资近2000亿美元的资本支出的一部分。”黄仁勋表示,cuLitho能够将计算光刻的速度提高到原来的40倍。举例来说,英伟达H100 GPU的制造需要89块掩膜板,在CPU上运行时,处理单个掩膜板需要两周时间,而在GPU上运行cuLitho只需8小时。

当时黄仁勋就表示,全球最大晶圆厂台积电、全球光刻机霸主ASML、全球最大EDA巨头新思科技(Synoposys)均参与合作并引入这项技术。该软件正被集成到台积电的设计系统中,台积电将于6月开始对cuLitho进行生产资格认证。它还将被集成到Synopsys的设计软件中。

据介绍,台积电可通过在500个DGX H100系统上使用cuLitho加速,将功率从35MW降至5MW,替代此前用于计算光刻的40000台CPU服务器。使用cuLitho的晶圆厂,每天可以生产3-5倍多的光掩膜,仅使用当前配置电力的1/9。

编辑:芯智讯-浪客剑


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关键词: 台积电

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