红「芯」势力崛起 三星DRAM事业的危机与中转
半导体无所不在，举凡汽车、家电、手机到战斗机，皆少不了半导体这玩意。半导体为韩国最具代表性产业，占外销总金额的20%。然而2018年底存储器荣景告终、价格走跌，除了让三星电子(Samsung Electronics)存储器事业陷入危机外，韩国经济前景也跟著蒙上阴影。面对中国大陆DRAM力拚崛起，及工业4.0革命可能带来的爆炸性需求，三星半导体事业将采取何种策略令人好奇。
2018年三星电子全年营收243兆韩元(约2,169亿美元)，营业利益59兆韩元，其中半导体事业占三星营收的35%，但营业利益却占76%，半导体等于撑起三星大多数获利，然2018年底三星存储器营收季减24%，营业利益季减43%，危机隐忧浮现。
三星半导体事业分为存储器(DRAM、NAND Flash)与非存储器(系统IC及晶圆代工)。2018年三星半导体事业营收86兆韩元，存储器占比84%，非存储器占比16%，半导体事业营业利益44兆韩元，存储器占97%，非存储器仅占3%，半导体事业获利极端依赖存储器。
从存储器部门营收与营业利益来看，2018年三星存储器营收72兆韩元，64%营收来自DRAM，36%营收来自NAND Flash，存储器营业利益43兆韩元，75%营业利益来自DRAM，25%营业利益来自NAND Flash，三星存储器事业获利也不均衡，DRAM可说是三星最大获利金鸡母，重要性可见一斑。
1983年三星发表著名的「东京宣言」，正式开启DRAM事业序曲，DRAM成为三星王国版图中最重要的产品。2000年代全球DRAM市场经历多次胆小鬼赛局，业者从十多家变成个位数，逐渐形成三星、SK海力士(SK Hynix)与美光(Micron)三巨头寡占局面，三星与SK海力士(SK Hynix)合计市占率超过7成，韩国称霸全球DRAM市场。
2016年以来受惠于PC、智能型手机需求扩大，存储器市场进入荣景循环，直至2018年底DRAM价格走跌。市调机构预估，2019年第1季DRAM价格年跌幅，将从原本的25%扩大至30%，这对高度依赖存储器的三星自然不是好消息。预料随著存储器价格持续走跌，2019年三星恐让出全球半导体龙头企业宝座，英特尔(Intel)有望重登王位。
最近也传出三星库存资产飙升情况严重，相较于产品价格下滑，库存资产升高背后的原因更值关注。因为这表示，三星存储器主要客户，美国与中国大陆等的服务器业者订单大幅减少。尽管三星预测2019年下半市况将会好转，但韩国业界则比较悲观，认为短期内三星降低库存资产水位并非易事。
稍早传出三星已带头在NAND Flash市场大幅砍价，应验先前存储器市场胆小鬼赛局，将从NAND Flash开始的预言，由于DRAM市场已形成寡占局面，三巨头合计市占率高达95%，DRAM市场再掀胆小鬼赛局的可能性相对较低。
日前SK海力士宣布，斥资120兆韩打造4座半导体厂，美光则决定加码中国台湾建封测厂，三星也积极兴建平泽二厂。放眼未来DRAM市场，三星、SK海力士与美光的扩产竞争仍将持续，而中国大陆何时加入与如何加入？恐成DRAM市场最大变量。
三星DRAM坚守韩国 EUV制程拚2020年投产
中国大陆目前有SK海力士无锡DRAM厂、英特尔(Intel)大连NAND Flash厂、美光西安DRAM厂，及三星西安NAND Flash厂。至今，三星并未将DRAM生产移至大陆。三星DRAM生产工厂主要以华城为主，最近也扩及至平泽园区。
2019年三星DRAM产线计有5条：华城13、华城15、华城16及华城17及平泽P1。原本华城11产线生产DRAM，但2018年决定转换生产CMOS影像传感器(CIS)，华城16产线中的2D NAND Flash产线，则是转换生产DRAM弥补产能。
DRAM从20纳米进入10纳米1x制程已相当不容易，接下来10纳米1y及1z制程更为困难。2017年11月三星率先量产1y纳米制程DRAM，2019年3月21日三星宣布完成开发1z纳米制程，预计2019年下半进入量产。
美光2018年底量产1y纳米制程Mobile DRAM，SK海力士则是宣布2019年第1季起量产1y纳米制程DRAM，三星领先对手1~2年，预料2019年三家业者的10纳米级DRAM制程竞争，势将更为白热化。
三星传计划2020年初，启用极紫外光(EUV)设备试产新一代DRAM。事实上，导入EUV设备制程的举动，将让以美国为首的全球半导体制造地位更为巩固，垫高日后中国大陆业者进入先进制程的难度。
尽管大陆已在IC设计、封测及晶圆代工领域有所进步，但在半导体制造领域大部分仍由中国台湾、韩国业者掌握，中国台湾、韩国身为美国半导体同盟成员，未来是否可能与大陆合作？颇值得玩味与观察。
半导体的政治经济学 红芯崛起的辩证思考
从国际政治经济学来看，中国大陆半导体崛起别具意义。美国向来视半导体为国家安全战略的一环，美苏冷战时期，苏联高层误信半导体抗辐射能力不如真空管，在发展半导体的黄金期败下阵来，全球半导体产业就以美国为中心揭开序幕。
苏联败下阵后，美国也开始拉邦结友，半导体产业于是以美国及其「盟友」为中心开始发展。例如，DRAM有三星、SK海力士等盟友，NAND Flash有三星、SK海力士、东芝等盟友，及美光、威腾(WD)、英特尔等美国业者，CPU则由英特尔及超微(AMD)掌握。
随著大陆经济与科技不断猛进，科技发展逐渐扩及半导体，进一步计划半导体自给率从目前的15%，提升至2025年的70%。此举自然引起美国警戒，美国总统川普为防堵中国大陆半导体势力崛起，日前对福建晋华祭出禁售令，联电自然也得急忙撇清关系。
在此之前，美国曾经禁止英特尔出售高阶芯片予大陆，也曾阻碍中国大陆企业收购美国半导体公司。虽然美国可能也有意牵制所有中国大陆的存储器业者，但暂时还无法有正当理由对NAND Flash发动攻势。
中国大陆自然不甘坐以待毙，2017年底~2018年初大陆国家发展改革委员会，传曾经约谈三星半导体高层，2018年5月反垄断局正式对三星、SK海力士及美光等三家业者展开调查，施压意味明显。传为了加速中国大陆半导体产业崛起，中国大陆当局要求这些业者中断对大陆企业提出专利侵权诉讼，交换条件是免除数十亿美元罚金。
DRAM领域牵涉到的技术面诉讼，及军事用途等敏感问题，这些在NAND Flash身上都不存在，加上NAND Flash技术门槛较低，将使大陆NAND Flash产业成长速度快过DRAM。尽管中国大陆的DRAM发展值得关注，但目前看来想追上三星、SK海力士等并非易事。
从需求层面来看，2018年全球前十大半导体客户大陆进榜4家，分别是华为、联想、步步高及小米，中国大陆半导体崛起的最大助力，除政策金援外，其庞大的内需也不容忽视。如果从三星极度不均衡发展的半导体事业出发，三星或许也想利用这股红芯崛起，修正半导体事业的不均衡。
三星DRAM的危与机 SDI高层跳槽为哪里桩
目前中国大陆力拚半导体崛起，对三星而言恐怕「感同身受」，因为过去三星也是从落后到追赶，终成一方霸主。回顾三星发展DRAM事业的当时，不少日本研究机构多给予负评，认为三星无法成功发展半导体事业。
2017年底，三星发布了一项不寻常的人事命令，让三星存储器事业部长全永铉出任三星SDI代表理事。全永铉曾任乐金半导体DRAM开发组，1999年转任三星电子，先后担任DRAM开发室长、Flash开发室长、策略营销组长等职，2015年成为存储器事业部长，可说是三星发展DRAM与NAND Flash的重要人物。
尽管不少人猜测，三星有意将三星电子的成功经验复制到三星SDI，但当时正值三星存储器供不应求，价格不断冲高之际，三星却将存储器核心人力调往三星SDI令人不解。
1970年成立的三星SDI，并非三星集团的主力公司，受关注程度不及三星电子，事业项目也进行过多次调整。早期三星SDI生产映像管(CRT)，2014年整并第一毛织材料事业，能源解决方案与电子材料为目前的两大发展主轴。
审视三星集团庞大且复杂的循环出资图，可发现三星物产－三星电子－三星SDI－三星物产这条循环出资路径，三星SDI对第三代继承经营权转移扮演关键角色，其背后最大股东则是三星电子。
据ET News报导，2018年底三星针对想转赴大陆半导体企业任职的离职主管，提出禁止转职假处分。2017年底三星发布定期人事异动，曾将这名高层派至三星SDI策略营销室，不久后该名高层就以个人因素为由提出辞呈，随即在2018年第3季进入合肥长鑫上海DRAM设计部门，这在韩国企业显得极不寻常。
中国大陆喊出半导体崛起口号后，约从2~3年前开始研发存储器，最早先从同文同种的中国台湾业界挖角，之后将延揽目标转向韩国，逐渐以韩国工程师取代台湾工程师，期透过挖角人才快速提升竞争力。
短期而言，中国大陆发展DRAM产业并不会对三星及韩国存储器霸主地位构成威胁，反观目前DRAM价格不断下滑、需求缩减与库存升高，恐怕才是三星应尽早解决的当务之急。展望未来，就算中国大陆DRAM顺利量产，所要面对的智财权(IP)问题恐怕相当棘手。
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