首期年产3000万颗UV LED芯片，山西中科潞安紫外光电项目投产

近日，山西省半导体产业联盟授牌仪式、中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产仪式在中科潞安紫外光电科技有限公司举行。

山西中科潞安紫外光电科技有限公司官微显示，中科潞安深紫外LED项目分两期建设，总投资约20亿元。其中，一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目，投资5.4亿元；二期工程为年产2亿颗紫外LED芯片项目，投资15亿元。

中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽表示，该项目于2018年12月完成项目的核心建设，经过5个月的调试运转和工艺验证，项目产线设备状态和生产能力稳健提升和完善，并于2019年5月30日正式投产。

此外，李晋闽还表示，未来随着设计的年产3000万颗深紫外LED的产能逐步释放至满产，将启动更大规模的亿颗深紫外LED芯片的二期建设，逐步规划对接资本市场。

会上，由中科潞安紫外光电科技有限公司、中科潞安半导体技术研究院等半导体相关“产学研用”单位组建的山西省半导体产业联盟正式揭牌，中科潞安半导体技术研究院也正式落成。