东芝存储器最新发布XL-Flash技术

据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC，XL-Flash将为数据中心和企业存储带来了低延迟和高性能的解决方案，样品预计将于下月送样检测，或将于2020年量产。

据东芝存储器表示，这项技术与英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND一样，XL-Flash属于持久性存储器，不仅具有NAND Flash容量存储的能力，同时性能介于DRAM和NAND之间。虽然能像DRAM易失性存储解决方案提供应用程序要求苛刻的访问速度，但达到这种性能的的成本很高。DRAM单位成本限制了其容量的扩展性，新的SCM持久性存储器解决了密度、成本、性能等问题。

它是介于DRAM和NAND闪存之间的产品，与传统的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延迟和更高的存储容量。XL-Flash最初将以SSD产品为部署，但未来也将扩展到DRAM产品线上。