安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性，与第一代相比的显著性能提升，以及一些实用设计技巧。本文为第一部分，将重点介绍M3S的一些关键特性以及与
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碳化硅 SiC MOSFET
3月28日，小米公司正式发布了小米SU7，一共有三款配置，分别是小米SU7 标准版，售价21.59万元；小米SU7 Pro版，售价24.59万元；小米SU7 Max版，售价29.99万元。图片来源：小米公司2021年3月，小米创始人雷军正式宣告小米造车。近三年时间过去，小米SU7正式发布，其相关供应商也浮出水面，既有包括高通、英伟达、博世等国际供应商，也包含了比亚迪、宁德时代、扬杰科技等本土供应链厂商。芯片领域，英伟达为小米汽车提供自动驾驶芯片，小米SU7搭载了英伟达两颗NVIDIA DRIVE Orin
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华泰证券发布研报称，在3月20日-3月22日开展的2024 SEMICON China(上海国际半导体展览会)上，华泰证券与数十家国内外头部半导体企业交流，并参加相关行业论坛，归纳出以下趋势：1)前道设备：下游需求旺盛，国产厂商持续推出新品，完善工艺覆盖度；2)后道设备：AI拉动先进封装需求，测试机国产化提速；3)SiC：2024或是衬底大规模出海与国产8寸元年；4)元宇宙和微显示：硅基OLED有望成为VR设备主流显示方案，AI大模型出现可能推动智慧眼镜等轻量级AR终端快速增长。 华泰证券主要观点如下：
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服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）近日宣布与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作，设计及研发使用ST被业界认可的碳化硅（SiC）、电气隔离和微控制器的服务器电源参考设计技术。该参考方案是电源设计数位电源转换器应用的理想选择，尤其在服务器、数据中心和通信电源的领域。随着人工智能（AI）、5G和物联网（IoT）的推波助澜下，对数位服务的需求持续成长，能源及用电控制是数据中心永续发展需面对的重要课题。STDES-3KWTLCP参考设计适用于3k
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3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。据其介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，工厂已开始安装长晶设备，预估今年12月份或者明年1月，这座工厂将会有产出。该工厂将主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圆，尺寸是150mm（6英寸）晶圆的1.7倍，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求
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据Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技术引领者Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉，John Palmour 碳化硅制造中心总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。该制造中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。产能的爬坡将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌、以及其他企业等）提供支持，推动具有重要
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2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据官方介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，获得了来自公共部门和私营机构的支持，将助力从硅向碳化硅的产业转型，提升对于能源转型至关重要的材料的供应。该中心占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工，该中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的
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3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪
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3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
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受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。近期，备受关注的碳化硅市场又有了新动态，涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。三菱电机SiC工厂预计4月开建据日经新闻近日报道，三菱电机将于今年4月，在日本熊本县开工建设新的8英寸SiC工厂，并计划于2026年4月投入运营。2023年3月，三菱电机宣布，计划在5年内投资约1000亿日元（折合人民币约48.56亿元）建设一个
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3月13日消息，日前，芯动半导体官微宣布，已与意法半导体签署战略合作协议，双方将就SiC芯片业务展开合作。此次与意法半导体就SiC芯片业务签署战略合作协议，也将进一步推动长城汽车垂直整合，稳定供应链发展。公开资料显示，芯动半导体于2022年11月成立于江苏无锡，由长城汽车与稳晟科技合资成立，以开发第三代功率半导体SiC模组及应用解决方案为目标。目前，芯动半导体位于无锡的第三代半导体模组封测制造基地项目已完成建设。该项目总投资8亿元，规划车规级模组年产能为120万套，预计本月正式量产。除了碳化硅模块外，芯动
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英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程
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近日，晶盛机电在接受机构调研时表示，目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售，6英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸，开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。晶盛机电自2017年开始碳化硅产业布局，聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到
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近几日，英飞凌在碳化硅合作与汽车半导体方面合作动态频频，再度引起业界对碳化硅材料关注。1月23日，英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm碳化硅晶圆供应协议（原先的协议签定于2018年2月）。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议。这将有助于保证英飞凌整个供应链的稳定，同时满足汽车、太阳能、电动汽车充电应用、储能系统等领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。据英飞凌科技首席执行官 JochenHanebeck 消息，为了满足不断增长的碳化硅器件需求，英飞凌正在落实一项多供应商战略，从而在
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碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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