摘要 本文探讨一套解决芯片单元级电测试过程电源电流失效问题的方法。当采用QFN-MR(四边扁平无引线–多排引脚封装)的BiCMOS (双极互补金属氧化物半导体)芯片进入量产预备期时，电源电流失效是一个进退维谷的制造难题。 本文介绍了数种不同的失效分析方法，例如，数据分析、实验设计(DOE)、流程图分析、统计辅助分析和标杆分析，这些分析方法对确定问题的根源有很大的帮助，然后使用统计工程工具逐步滤除可变因素。 本项目找到了电流失效问题的根源，并采用了相应的解决措施，使电源电流失效发生率大幅
关键字：
BiCMOS QFN-MR
今后中国新能源汽车会越来越多， 针对新能源汽车相关的产品， 东芝推出了例如在节能方面非常有功效 的马达驱动的电路， 还有在电动车混合动力里面广泛使用的光机电器件类似的产品。 车载信息化方面， 东芝除了既有的车载音箱产品以外， 还增加了与互联网、车联网相关的无线互联的蓝牙产品、 存储产品。针对环保的要求， 东芝提供非常独特的有优势的电机控制技术， 东芝的BiCMOS的制成技术已经实现130纳米高性能的制程，&nb
关键字：
东芝 BiCMOS
引言
近年来，随着无线通讯的飞速发展，无线通信里的核心部分——无线收发器越来越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的体积，而作为收发器中的最后一级，功率放大器所消耗的功率在收发器中已占到了60%～90%，严重影响了系统的性能。所以，设计一种高效低谐波失真的功率放大器对于提高收发器效率，降低电源损耗，提高系统性能都有十分重大的意义。
笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器，其工作频率为1.8GHz，工作电压为1.5V，输出功率为26dBm，并具有高
关键字：
功率放大器 BiCMOS E类
引言
近年来，随着无线通讯的飞速发展，无线通信里的核心部分——无线收发器越来越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的体积，而作为收发器中的最后一级，功率放大器所消耗的功率在收发器中已占到了60%～90%，严重影响了系统的性能。所以，设计一种高效低谐波失真的功率放大器对于提高收发器效率，降低电源损耗，提高系统性能都有十分重大的意义。
笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器，其工作频率为1.8GHz，工作电压为1.5V，输出功率为26dBm，并具有高
关键字：
功率放大器 BiCMOS
Maxim 推出数字式环境光和红外接近检测传感器MAX44000，模拟人眼的环境光检测。该款IC采用公司专有的BiCMOS技术设计，在微型、2mm x 2mm x 0.6mm封装中集成了三个光传感器、两个ADC以及数字电路。高集成度设计节省了宝贵的电路板空间，并提供光信号整合以及无与伦比的光检测性能。
关键字：
Maxim 传感器 44000 BiCMOS ADC
为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调
关键字：
BiCMOS 集成运算 放大器设计
摘要：为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数
关键字：
BiCMOS CMOS 工艺 放大器设计
在模拟及数/模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A/D
关键字：
设计 电路 基准 BiCMOS 新型
基于栅压控制MOS管等效电阻实现放大器输出电阻和射极电阻同时改变的原理，构造一种新型可变增益放大器，通过控制电路和稳压电路提高了增益动态范围和电路稳定性。采用UMC O．5μm BiCMOS工艺，使用HSpice软件仿真，结果表明该放大器可在O～70μA的较小控制电流下实现增益在O～66 dB宽范围内连续变化，带宽超过73 MHz，具有良好的线性度。
关键字：
BiCMOS 宽动态 可变增益放大器
0 引言随着数字技术、微机和模数转换技术的研究与进展，作为模拟和数字信号接口电路的模数转换器(ADC)得到了广泛应用。由于ADc中的重要组成单元――采样／保持(S／H)电路的精度和速度直接决定ADC的性能，所以设计高
关键字：
BiCMOS 全差分 采样 保持电路
日前，全球知名的射频微波IC厂商Hittite公司面向宽带、3G、Winmax、自动化以及4G应用领域推出了基于 SiGe BiCMOS 工艺的功率检波器HMC713LP3E。
该器件可以在50MHz到8GHz范围内按比例把输入的射频信号变换成直流电压输出，精度为±1dB时，在2700MHz以下动态范围内可达54dB，在3.9到8GHz动态范围也有49dB。其回损则在全部工作频段都优于10dB。
HMC713LP3E的工作电压范围是2.7V到5.5V，消耗电流为17 mA。与
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Hittite SiGe BiCMOS 功率检波器
Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封装的76V APD偏置输出级和电流监测IC DS1842。器件采用Maxim先进的BiCMOS工艺设计，集成高压(76V)电流源和双电流镜，用于监测APD电流。该器件还包含一个FET开关，可与外部DC-DC控制器配合工作，构建DC-DC升压转换器。DS1842非常适合用于GPON ONU和OLT中的APD偏置和电流监测。
DS1842工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围，提供带有裸焊盘的小尺寸3mm x 3mm、14引脚TDF
关键字：
Maxim BiCMOS 电流监测 DS1842
Maxim推出3通道、RGB激光驱动器MAX3600，能够将高分辨率的微型投影仪集成至小体积设备中。该器件采用Maxim最新的BiCMOS工艺，具有小于2ns的超快速切换时间，支持高达1080p (1920 x 1080像素)和WXGA (1400 x 768像素)的高分辨率图片。此外，器件省去了3个分立的激光驱动器，使系统设计者能够将微型投影仪嵌入至新一代消费类电子设备。器件的目标应用包括：智能电话、便携式媒体播放器、移动计算设备、数码相机/便携式摄像机、投影仪配件以及数码相框。
MAX3
关键字：
Maxim 激光驱动器 MAX3600 BiCMOS
专业电子元器件代理商益登科技今日宣布正式取得RFaxis代理权。RFaxis是一家致力于为无线通信市场提供新一代射频解决方案的无晶圆厂半导体公司，益登科技将销售RFaxis的射频前端芯片(Front-end Integrated Circuit，RFeIC)与嵌入式天线全系列解决方案，应用领域涵括消费性电子、PC及外围器件、无线及手机市场，销售领域遍及台湾地区、中国大陆、马来西亚、新加坡、印度等国家及地区。
通过采用BiCMOS技术及各项创新技术与设计，RFaxis开发了业界首创的专利RFeIC
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益登 射频 RFeIC 嵌入式天线 BiCMOS
Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成、2000MHz至3900MHz下变频混频器MAX19996A。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计，集优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性于一体，能够工作于极宽的频段范围。MAX19996A提供完全集成的下变频通道，具有+24.5dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)转换增益和9.8dB (典型值)噪声系数。此外，器件具有业内最佳的2LO-2RF杂散抑制：-10dBm RF电平下为67dBc，-5dBm RF电平下为
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Maxim 混频器 BiCMOS MAX19996A SiGe
bicmos介绍
双极互补金属氧化半导体
BiCMOS
bipolar compIementary metal oxide semiconductor
将双极器件的线性和速度与CMOS的低耗用功率、低热耗散和较高密度相结合的集成电路工艺。它可以工作在ECL，(发射极耦合逻辑)电平或TTL(晶体管-晶体管逻辑)电平，并广泛用于混合信号器件。应用（１） 通信用数字逻辑电路、数字部件和门阵列等 由第二 [
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