问题引入在工作中，会遇到OC门与OD门的称谓。而感性的认识一般为：OD门是采用MOS管搭建的电路，压（电压）控元器件。OC门是采用晶体管搭建的电路，流（电流）控元器件。而OD门的功率损耗一般是小于OC门，为什么？电平TTL电平：输出电平：高电平Uoh >=2.4v 低电平Uol <= 0.4v输入电平：高电平Uih >= 2.0v 低电平 Uil <= 0.8vCMOS电平：输出电平：高电平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND输入电平：高电平Uih >= 0.7*VCC U
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TTL电路 CMOS
AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
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存储器 DRAM TrendForce
IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性损害，长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时，美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产，但得
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DRAM 闪存 美光
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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3D DRAM
怎么证明企业对某个市场的未来充满信心？频繁来华喊口号还是推定制芯片？一边提升销售预期一边减少研发团队？或者是缩减产能加大宣传力度？商业行为还真是要靠真金白银才能体现诚意，对中国市场最有信心的表示当然是加大中国市场的投资力度。 3月27日，美光科技举办了新厂房动工奠基仪式，宣告2023年6月公布的美光西安工厂价值43亿元人民币的扩建工程正式破土动工，该项目是2020年以来国外半导体企业在国内最大的工厂投资建设工程。据悉，这个项目除了加建新厂房，还会引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，例如移动DRAM、N
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美光 DRAM
用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异，实现在线检测，大大提高了检测效率，同时对产品进行全检，检测结果更为客观、更准确。无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋，在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么，相机厂商该如何应对这些需求提出的挑战呢？Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合，并具备：色彩校正矩阵，用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现；高质量图像，卓越的灵敏度和动态范围，能够较大限度提升图像对比度；灵活多变的自定义触发设置，准确触发
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传感器 色彩 CMOS
IT之家 3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。随着 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV)
技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器
(HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存储 DRAM MUF技术
三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异，实现在线检测，大大提高了检测效率，同时对产品进行全检，检测结果更为客观、更准确。问：无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋，在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么，相机厂商该如何应对这些需求提出的挑战呢？答：Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合，并具备：• 色彩校正矩阵，用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现• 高质量图像，卓越的灵敏度和动态范围，能够较大限度提升图像对比度•
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CMOS 传感器 色彩算法
从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
受到威胁的不是摩尔定律本身，而是它所代表的促进经济增长、科学进步和可持续创新的能力。
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CMOS
据 IDC 预测，从 2021 年到 2027 年，作为数字孪生的新型物理资产和流程建模的数量将从 5% 增加到 60%。尽管将资产行为中的关键要素数字化并非一种全新概念，但数字孪生技术从精确传感到实时计算，再到将海量数据转为深度洞察，从多方面进一步推动了设备和运营系统优化，从而实现扩大规模并缩短产品上市时间。此外，启用人工智能/机器学习 (AI/ML) 模型将有助于提高流程效率、减少产品缺陷，实现出色的整体设备效率 (OEE)。当我们了解了上述需求的复杂性和面临的挑战，就能意识到内存与存储对于实现数字孪
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数字孪生 DRAM 机器学习
三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发（R&D）机构，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部（DSA）的硅谷总部之下运营，由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来，三星在随后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市场份额要明显高于其他厂商，但仍需要不断开发新的技术、新的产品，以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
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三星 内存 DRAM 芯片 美光
韩国存储器大厂SK海力士透露，因市况好转，考虑在第一季增产部分特殊DRAM，市场担心稼动率回升，破坏以往存储器大厂减产提价共识，恐不利后续DRAM涨势。观察16日存储器族群股价，包括钰创、华邦电、南亚科、点序、十铨、品安、晶豪科等，股价跌幅逾2％，表现较大盘弱势。惟业界人士认为，包括三星、SK海力士及美光等三大原厂产能，多往1-alpha／beta先进制程升级，以满足获利较佳DDR5及高带宽存储器（HBM）需求，预期利基型DRAM后市仍呈正向趋势。SK海力士执行长郭鲁正先前在2024年拉斯韦加斯消费性电子
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存储器 DRAM TrendForce
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