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igbt-ipm 文章

GaN 器件的直接驱动配置

  • 受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容(Ciss、Coss、Crss)和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器(PFC)等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗,MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)实现此类拓扑。本文中,我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点,包括更低的开关损耗、更佳
  • 关键字: MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

英飞凌推出62mm CoolSiC™模块,为碳化硅开辟新应用领域

  • 英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗
  • 关键字: MOSFET  TIM  IGBT  

一种电动汽车能量回馈下IGBT保护策略优化及验证

  •   舒 晖(奇瑞新能源汽车股份有限公司,安徽 芜湖 241002)  摘 要:针对电动汽车在能量回馈时,动力电池高压继电器异常断开的特殊工况下,提出了一种IGBT保护策略优化方案,快速检测因动力电池瞬断产生的尖峰电压,触发保护机制保护IGBT模块。本文通过台架实验对比了方案优化前后的尖峰电压值,最终通过实车验证了该方案的可行性。结果表明,优化后的保护策略能更快地检测到抬升的母线电压,触发保护机制,停止IGBT工作,降低IGBT模块损坏的风险。  关键词:电动汽车;能量回馈;IGBT  0 引言  传统汽车
  • 关键字: 202007  电动汽车  能量回馈  IGBT  

新基建驱动电力电源变革,ST祭出一揽子解决方案

  • 我国正在大力进行新基建,工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时,SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起,奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件?近日,ST(意法半导体)亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访,分享了对工业市场的预测,并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
  • 关键字: 电源  SiC  IGBT  GaN  

使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率

  • 本文将强调出无论就能源效率、散热片尺寸或节省成本方面来看,工业传动不用硅基(Si)绝缘栅双极电晶体(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些优点。摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET)技术,为电力切换领域立下全新的效能标准。1.导言目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近开发的碳化
  • 关键字: MOSEFT  FWD  ST  IGBT  

东芝推出600V小型智能功率器件,助力降低电机功率损耗

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件(IPD)。该器件采用小型表面贴装封装,设计用于空调、空气净化器和泵等产品中的电机驱动。并计划于今日开始出货。TPD4162F采用新工艺制造,与东芝当前的IPD产品TPD4152F相比可降低功率损耗约10%[1]。这有助于为集成该器件的设备降低总体功率损耗。TPD4162F具有各种控制电路[2]、输出级安装了IGBT和FRD。其支持从霍尔传感器或者霍尔IC直接驱动带方波输入信号的无刷直流电机,无需PWM控制
  • 关键字: IPD  IGBT  IC  

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够
  • 关键字: IGBT  MOSEFT  

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案,即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制,对于电动汽车(EV)整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言,该平台可以帮助他们加快产品上市时间。该可扩展
  • 关键字: SiC  IPM  

Power Integrations出炉简单易用的SCALE-2即插即用型门极驱动器,适用于压接式IGBT模块

  • 中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations近日推出1SP0351 SCALE-2™单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器,新产品专为东芝、Westcode和ABB等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成,非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。1SP0351驱动器装备了动态高级有源钳位功能(DAAC)、短路保护
  • 关键字: 门极驱动器  IGBT  

电机的应用趋势及控制解决方案

  • 顾伟俊  (罗姆半导体(上海)有限公司 技术中心 现场应用工程师)摘  要:介绍了电机的应用趋势,以及MCU、功率器件的产品动向。 关键词:电机;BLDC;MCU;SiC;IPM1  电机的应用趋势 随着智能家居、工业自动化、物流自动化等概念的 普及深化,在与每个人息息相关的家电领域、车载领 域以及工业领域,各类电机在技术方面都出现了新的 需求。 在家电领域,电器的 智能化需要电器对人机交 流产生相应的反馈。例如 扫地机器人需要扫描计算 空间,规划路线,然后执 行移动以及相应
  • 关键字: 202003  电机  BLDC  MCU  SiC  IPM  

用智能相位控制技术提高家用电器的电机效率

  • 姜铁军 (东芝电子元件(上海)有限公司 系统LSI战略业务企划统括部 高级工程师)摘  要:介绍了家用电器用电机的特点,以及东芝提升电机效率的智能相位控制技术和产品。 关键词:BLDC;智能相位控制技术;IPM1  家电用电机的特点 电机在如今这个时代非常重要。根据相关数据显 示,全球大约50%的电能 是被电机消耗的。在以 前,电机的应用主要集中 在工业领域,随着人民生 活水平的不断提升,家用 电器领域开始异军突起。 数量巨大的家用电器在电 机使用中占比很大,如家 电类的冰箱、空调、洗
  • 关键字: 202003  BLDC  智能相位控制技术  IPM  

工业电机用功率半导体的动向

  • Steven Shackell  (安森美半导体 工业业务拓展经理)摘  要:电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机;工业电机需要更高能效的电机,同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词:电机;电动工具;MOSFET;工业;IGBT;IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列,尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋,并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 (例如电动工具),
  • 关键字: 202003  电机  电动工具  MOSFET  工业  IGBT  IPM  

全力以赴抗疫情 开足马力促生产——华虹二厂投入再创新高

  • 基于国内外大客户对高端功率半导体器件的旺盛需求,特别是超级结产品(SJ)和绝缘栅双极型器件(IGBT)的应用,华虹集团旗下华虹二厂在2020年1月的投入再创新高,光刻层数达到了48万!生产线在年度动力检修后已满负荷运行,在1月也取得了出货6.12万片晶圆的佳绩!
  • 关键字: 半导体  IGBT  SJ  华虹  

关于半桥电路中抗dv/dt噪声干扰的安全工作区分析及其解决方案

  •   王定良(电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 610054)  摘  要:作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析,并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构,改善了传统半桥电路工作时的可靠性。  关键词:IGBT;
  • 关键字: 202002  IGBT  误触发  dV/dt  可靠性  

东芝面向电压谐振电路推出新款分立IGBT,有助于降低功耗并简化设备设计

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出“GT20N135SRA”,这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。 GT20N135SRA产品图GT20N135SRA的集电极-发射极的饱和电压[1]为1.75V,二极管正向电压[2]为1.8V,分别比东芝当前产品[3]低10%和21%。IGBT和二极管都针对高温(TC=100℃)条件下的导通损耗特性进行了改进,而且新款IGBT还有助于降低设备功耗。该产品的结壳热阻为0
  • 关键字: IGBT  分立  
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igbt-ipm介绍

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