南韩为稳固全球记忆体龙头地位，在产业通商资源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主导下，不仅采取以三星电子(Samsung Electronics)等大企业为投资要角的产官学新合作研发模式，亦将次世代非挥发性记忆体与新兴材料、技术列为研发重点。
2013~2017年南韩将引进由政府与企业共同提供资金给学术机构研发的新合作模式，研发成果的智财权将由学术机构拥有，此将有利提高往后提供南韩中小型企业运用的可能性。
观察2013~2017年
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三星 PRAM IC设计
日刊工业新闻报导，由于扩展应用范围及降低成本不易，尔必达(Elpida)计划停止研发相位变化随机存取存储器 (PRAM)。
尔必达监于30纳米技术已是DRAM产品细微化的技术极限，遂转而研发PRAM，甚至已送样容量为128MB的产品，然尔必达社长本幸雄认为PRAM成本很难降到比Flash低，且应用范围难以扩大，故决定停止研发该产品。日后研发重心将转至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技术。
尔必达于2009年内已开始量产40纳米技术DRAM产品，紧接著将朝
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Elpida 30纳米 PRAM
去年，一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域，存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示，由于计算机存储芯片的平均销售价格迅速下滑，该公司的利润下降了6.6%。DRAM生产商尔必达(Elpida)也宣布其销售额下滑了34%，并且第三财季净亏损达1.132亿美元。台湾地区厂商茂德科技也因存储芯片价格下跌和供过于求而宣布亏损。
存储芯片市场阴霾的表现，迫使许多厂商削减生产或推迟了Fab的投产计划。美光(Micron)近期就宣布，将
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三星 DRAM 存储芯片 MRAM PRAM
PRAM内存的处理速度远远快于闪存，理论上其写入数据速度是普通闪存芯片的30倍，保守也可达到10倍以上，而且尺寸也比闪存小很多，从而使未来高密度非易失性存储器以及功能更强大的电子设备的出现成为可能。 三星电子、IBM、奇梦达、意法半导体以及英特尔公司，都在积极进行PRAM存储产品的研发。 全球最大的存储芯片制造商三星公司称，PRAM产品的生产流程也比NOR flash产品简单许多，三星公司于去年开发出了512MB的PRAM产品，预计最早可在2008年实现量产。 此外，IBM与多家内存厂商合作，共同开发出一
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模拟技术 电源技术 现代 Ovonyx PRAM MCU和嵌入式微处理器
最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储技术一定感觉到既有近忧，又有远虑，因为新型存储技术PRAM(相变存储器)、MRAM(磁性随机存储器)及FRAM(铁电储存器)表现活跃，大有取而代之的势头。不过，虽然上述新兴技术具有很多优点，并有各自不同的取代对象，但是，它们要经历大规模商用的考验。 新兴存储技术发展快 与目前主流的存储技术相比，PRAM、MRAM和FRAM普遍具有非易失、重复擦写次数多等特点，它们在近两年取得了令人兴奋
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消费电子 存储技术 PRAM
4月19日消息，据国外媒体报道，英特尔日前表示，其所开发的相变随机存取存储器（PRAM）有潜力取代当前的DRAM（动态随机存取存储器）。
在日前于北京召开的“英特尔信息技术峰会（IDF）”上，英特尔首席技术官Justin Rattner展示了新型PRAM内存，并表示，PRAM有潜力取代当前的DRAM。
Rattner还称，英特尔开发PRAM已经有十年的历史了。据悉，PRAM是一种非易失性的内存产品，它集DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体，因此被业界视为未来D
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DRAM PRAM 存储器
pram介绍
PRAM芯片
PRAM是韩国三星公司推出的一款存储器，相比普通的DRAM和闪存，PRAM具有高速低功耗的特点。如果发展顺利的话，预计PRAM将从2007年起逐步取代闪存，成为下一代存储器产品中的主导力量。
目录
简介
详细介绍
PRAM的优势
发展前景
编辑本段简介
三星电子最近推出了世界上首 [
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