由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,同时也减少了工程成本和工作量。这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°,有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率,或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外,随着额定温度的