- IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性损害，长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时，美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产，但得
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DRAM 闪存 美光
- IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨询近日发布市场研究报告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 闪存产值 114.9 亿美元，环比增长 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 产值将继续保持上涨，预估环比会继续增长两成。三星第四季营收以三星（Samsung）增长幅度最高，主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。三星该季度出货量环比增加 35%，平均销售价格环比增加 12%，带动营收上升至 42 亿美元，环比增加 44.8%。SK 集团SK 集团（SK Group）受惠于价
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- IT之家 3 月 6 日消息，西部数据近日发布公告，宣布分拆硬盘和闪存业务上取得了重大进展，并会按期在 2024 年年底前完成分拆，并公布了分拆之后亮相业务的主要负责人。图源：西部数据IT之家于 2023 年 10 月报道，西部数据由于铠侠合并未果，宣布分拆为两家独立上市公司，专注于硬盘和闪存市场。西部数据表示分拆两项业务，能更好地执行创新技术和产品开发，利用独特的增长机会，扩大各自的市场领导地位，并通过不同的资本结构更有效地运营。西部数据在新闻稿中表示，本次拆分已取得重大进展，包括全球法律实体
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- 据日媒报道，12月20日，日本东芝公司正式退市，结束其作为一家上市公司74年的历史。今年8月起，以日本国内基金“日本产业合作伙伴”（JIP）为主的财团正式开始向东芝发起总额约2万亿日元的要约收购。东芝在官网发布的文件中称，该财团将从普通股东收购剩余股份，将东芝收购为全资子公司。公开资料显示，东芝创立于1875年，距今已有140多年的历史。东芝是日本制造业的代表之一，在家电、电气、能源、基建等领域都有巨大影响力。此外，东芝还是日本最大的半导体制造商，曾发明NAND闪存芯片。
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- IT之家 12 月 5 日消息，根据市场调查机构集邦咨询公布的最新报告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 产业规模合计营收 134.8 亿美元，环比增长 18.0%。集邦咨询表示由于下半年需求缓步回温，买方重启备货动能，让各原厂营收皆有所增长。展望今年第 4 季度，供给方面，原厂涨价态度明确，预估第四季 DRAM 合约价上涨约 13~18%；需求方面的回温程度则不如过往旺季，整体而言，DRAM 行业出货增长幅度有限。三家主流厂商情况细分到各家品牌，三大原厂营收皆有所成长
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- 11 月 30 日消息，据外媒报道，从去年下半年开始，受消费电子产品需求下滑影响，全球存储芯片的需求也明显下滑，三星电子、SK 海力士等主要厂商都受到了影响。但在削减产量、人工智能领域相关需求增加的推动下，DRAM 这一类存储产品的价格已在回升，销售额环比也在增加。研究机构最新的数据就显示，在今年三季度，全球 DRAM 的销售额达到了 132.4 亿美元，环比增长 19.2%，在一季度的 93.7 亿美元之后，已连续两个季度环比增长。全球 DRAM 的销售额在三季度明显增长，也就意味着主要厂商的销售额，环
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- IT之家 11 月 24 日消息，由于厂商减产的效果逐渐显现，以及特定应用市场的持续强劲需求，DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨，并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估，2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%，上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。移动 DRAM：根据国外科技媒体 WccFtech 报道，2024 年手机的一个明显变化是
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- 在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断提高，这一挑战不容忽视。在常嵌入闪存存储器的微控制器 (MCU) 中，存储器的容量也在快速增加。除了宏观趋势外，MCU 中的一些特定发展趋势（包括更高的计算带宽、功能集成以及包含额外的大型通信栈）也决定了需要更大容量的闪存。当出现无线更新的需求时，由于原始图像和备份图像都需要存储，上述的这
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- 11月22日消息，据TrendForce最新报告，2022年全球SSD出货量为1.14亿块，同比下降10.7%。报告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影响，SSD出货量不高；但在2022年下半年供应情况已经极大缓解，渠道SSD市场恢复正常供需状态。随着个人电脑和计算机硬件市场的萎缩，固态硬盘的需求依然疲软，而更多的用户也是买涨不买跌（便宜了还能更便宜，便宜反而买单的人锐减）。TrendForce称，由于NAND闪存供应商积极减产，导致整个行业价格上涨，市场情绪在2022年第三季度末"迅速
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- 近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层）
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- IT之家 10 月 10 日消息，闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星等 DRAM 巨头正积极备战 1γ DRAM 技术。图源：SK 海力士DRAM目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。而三星计划 2023 年迈入 1b D
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- 据媒体报道，三星作为全球最大的NAND闪存供应商，为了提高新一代NAND闪存的竞争力，将在2024年升级其NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。 三星平泽P1工厂未来大部分产线将从第6代V-NAND改为生产更先进的第8代V-NAND，同时正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽P3的NAND生产线，此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。三星的半导体产品库存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年结束时，三星旗下设备解决方案部门的库存已增至
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- 这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。不过，这种好日子似乎要结束了。根据集邦咨询最新研究报告，预计在2024年，内存、闪存原厂仍然会延续减产策略，尤其是亏损严重的闪存，但与此同时，至少在2024年上半年，消费电子市场需求仍不明朗，服务器需求相对疲弱。由于内存、闪存市场在2023年已经处于低谷，价格也来到相对低点，因此 预计在2024年，内存、闪存芯片的市场需求将分别大涨13.0％、16.0％，相比今年高出大约6.5个、5.0
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- 近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
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闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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