- IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
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杂散电感 SiC IGBT 开关特性
- IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。（点击查看直流链路环路电感分析）测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析S
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IGBT SiC 开关特性
- 热泵是一种经过验证的、提供安全且可持续供暖的技术，其满足低排放电力要求，是全球迈向安全、可持续供暖的核心技术。尽管逆循环热泵也可以同时满足供暖和制冷的要求，但热泵的主要目标是提供供暖。由于热泵能够回收废热并将其温度提高到更实用的水平，因此在节能方面具有巨大的潜力。系统目标热泵的原理与制冷类似，其大部分技术基于冰箱的设计。2021年，全球约有10%建筑的采暖由热泵来完成，且安装热泵的步伐仍在不断加快。鉴于政府对能源安全的关注以及应对气候变化的承诺，热泵将成为减少由建筑采暖以及热水所产生的碳排放的主要途径。此
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热泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
- 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP系列电气隔离栅极驱
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STGAP MOSFET IGBT 驱动器 电气隔离
- 什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。 IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频领域。IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过
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功率半导体 IGBT
- IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。理想等效电路与实际等效电路如图所示：IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：IGBT的开通过程IGBT 在开通过程中，
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IGBT 电路设计 驱动电路
- 在当今的半导体市场，公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。而这两者是相互关联的，可靠性体现为在产品预期寿命内的长期质量表现。任何制造商要想维续经营，必须确保产品达到或超过基本的质量标准和可靠性标准。安森美 (onsemi) 作为一家半导体供应商，为高要求的应用提供能在恶劣环境下运行的产品，且这些产品达到了高品质和高可靠性。人们认识到，为实现有保证的质量性能，最佳方式是摒弃以前的“通过测试确保质量”方法，转而拥抱新的“通过设计确保质量”理念。在安森美，我们使用双重方法来达到最终的质量和可靠性水
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IGBT 可靠性 测试
- 01 IGBT是什么？IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）IGBT综合了以
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IGBT 晶体管 基础知识
- 从缺芯潮缓解转向下游市场需求疲软，在半导体赛道的周期性寒冬之下，各家企业相继采取措施，减产、缩减投资等逐渐成为行业厂商度过危机的主要方式之一。不过在半导体诸多赛道中，有这样一个细分领域，它未受市场景气度的影响，持续繁荣向上。这便是 IGBT。IGBT 的市场格局根据 IGBT 的产品分类来看，按照其封装形式的不同，可分为 IGBT 分立器件、IPM 模块和 IGBT 模块。IGBT 分立器件主要应用在小功率的家用电器、分布式光伏逆变器；IPM 模块应用于变频空调、变频洗衣机等白色家电产品；而 IGBT 模
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IGBT
- 在 IGBT 的规格书中，可能会看到安全工作区（SOA, Safe Operating Area），例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下图所示。这个安全工作区是指什么？图1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作区 （图片来源ROHM）IGBT 的安全工作区（SOA）是使IGBT在不发生自损坏或性能沒有下降的情况下的工作电流和电压条件。实际上，不仅需要在安全工作区内使用IGBT，还需对其所在区域实施温度
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IGBT 安全工作区 SOA
- 本文的关键要点・各种项目的绝对最大额定值都是绝对不能超过的值。・IGBT IPM绝对最大额定值的解释基本上与半导体器件相同。・由于绝对最大额定值不是保证产品工作和特性的值，因此设计通常基于推荐工作条件和电气特性项目中的规格值进行。在本文中，将介绍IGBT IPM的绝对最大额定值。与上一篇一样，我们将使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作为IGBT IPM的示例。 IGBT IPM实例：绝对最大额定值 首先，为了便于理解后续内容，我们先
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IGBT IPM ROHM
- 10月31日，金升阳作为EEPW的老朋友也来到直播间向我们分享了他们这次带来的展品以及新的动态。谢工在直播中介绍到，金升阳成立于1998年7月，25年来创造了高品质的机壳开关电源、导轨电源、AC/DC电源模块、DC/DC电源模块隔离变送器、工业接口通讯模块、 IGBT驱动器、LED驱动器等系列产品，其中多个产品系列已经顺利通过了UL、CE、EN60601-1。我们了解到，金升阳在近日荣获UL Solutions授予的中国工业电源UL61010-1/UL61010-2-201安全认证证书及 IEC/UL 6
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金升阳 AC/DC 电源模块 DC/DC 业接口通讯模块 IGBT
- 11月2日消息，据“智新科技”官微消息，近日，首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。该碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。据悉，智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产
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IGBT 碳化硅 东风 智新半导体
- 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦
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IGBT MOSFET
- 随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。自推出以来，绝缘栅双极晶体管（IGBT）由于其高电压、大电流、低损耗等优势特点，被广泛应用于马达驱动，光伏，UPS，储能，汽车 等领域。变频器变频器由于“节能降耗”等优势，广泛的使用在电机驱动的各个领域。让我们先来走进变频器，看看变频器的典型电路。“交—直—交”电路
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Nexperia IGBT
隔离栅双极性晶体管（igbt）介绍
您好，目前还没有人创建词条隔离栅双极性晶体管（igbt）!
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