新日本无线开发完成高隔离度SPDT开关GaAs MMIC NJG1666MD7
【开发背景】
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/105436.htm近年来，随着装载有FM和1seg等多数调谐器的设备的增加，市场需求用于分离接收信号的具有高隔离度的SPDT开关。为了适应市场的要求，新日本无线开发了最适合于信号分离的SPDT开关系列产品。要求更高隔离度的STB※和TV调谐器等设备把已有的SPDT开关多段连接使用或使用分立电路。NJG1666MD7是实现了使要求高隔离度特性的设备更加容易把信号分离而开发的SPDT开关。
【产品特征】
特征1 同时实现了高隔离度和低插入损耗
完成了高隔离度的电路设计和减少了IC芯片、封装内的寄生电容，从而实现了高隔离度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性，并且实现了很难同时共存的低插入损耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。
特征2 采用了小型、超薄型封装
NJG1666MD7采用了小型、超薄型封装EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.)，实现了比以往产品(NJG1512HD3：2.0×1.8×0.8mm)28%面积的节减，使安装基板节省了空间并可小型化。
特征3 实现了高ESD(Electrostatic Discharge)耐压
内置有保护器件，从而实现了在MM(Machine Model)机器放电模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人体放电模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。
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