Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存

　　由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进，每12-15个月便升级一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年则率先达到了34nm，在业内领先六个月左右，也让Intel提前抢先发布了34nm第二代X25-M固态硬盘，美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供给Intel客户、51%供给美光客户。

　　IMFT 25nm NAND闪存的量产将从今年第二季度开始，下半年开始批量出货，正好赶上Intel预计年底发布的第三代X25-M固态硬盘，容量有160GB、320GB、600GB等。

　　率先投产的25nm NAND闪存芯片使用了沉浸式光刻技术(对Intel来说是史上第一次)，内核面积167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每单元容量2比特(2-bit-per-cell)。

　　IMFT 25nm NAND闪存支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s，页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB，块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面，这些对性能提升都大有好处，Intel X25-M系列几乎必然能够再次狂飙了(只要固件别再出问题)。

　　此前的32nm 4GB 2-bpc MLC NAND闪存芯片面积为172平方毫米，也就是说工艺升级后容量翻了一番，尺寸却减小了9.7%。

　　其实去年IMFT还宣布了34nm工艺的3-bpc MLC NAND闪存计划，容量同为4GB，核心面积则只有126平方毫米。这种芯片只适合廉价或者对寿命要求不那么严格的产品，比如U盘，在固态硬盘上无论性能还是可靠性都不值得。

　　虽然半导体工艺日益复杂，但IMFT对未来充满信心，已经瞄准了10mm工艺，相当于只有大约20个原子并排的宽度，还在考虑电荷陷阱型存储(CTM)技术(取代现有的浮动栅极技术)和3D垂直堆叠技术。

　　按照12-15个月的升级周期，IMFT的下一代新工艺应该会在2011年年中诞生，2012年初投入实用，也许那时候固态硬盘将真正迎来主流地位。