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飞索转型求生存 锁定嵌入式存储器

作者:时间:2010-09-29来源:DigiTimes收藏

   Flash产业昔日霸主(Spansion)在脱离破产保护后,积极进行大反扑,除了快速处理掉2座晶圆厂卖给德州仪器(TI)外,在产品在线也做大幅度的调整,除巩固车用 Flash产品线之外,也投入相当大资源在内嵌式 Flash领域,这部分一直是最擅长同时也是成长性最高的一块市场,包括工业领域、个人计算机(PC)等市场,未来内嵌式NOR Flash产品的成长性相当强劲。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/113111.htm

  表示,除了已耕耘20年的车用NOR Flash产品线外,飞索也会把大量资源放在内嵌式产品上,这会是未来成长性最高的产品线,且随著营运弹性化的策略彻底落实,飞索在回应市场变化和客户需求上也未更快速。

  全球内嵌式NOR Flash领域的竞争状况也相当激烈,过去飞索在此市场产品线相当齐全,从16Mb~512Mb以及1Gb和2Gb等高容量产品线都很齐全,其它竞争对手还包括三星电子(Samsung Electronics)、恒忆(Numonyx)、超捷(SST)旺宏、华邦、Atmel等。

  飞索过去营运包袱相当重,主要来自于自有晶圆厂的负担,2010年飞索将日本1座12寸晶圆厂和1座8寸晶圆厂卖给德仪后,主要的生产重心放在位于美国德州奥斯汀的12寸厂Fab 25。

  企业营销总监John Nation强调,未来飞索的生产策略上,仍是会以自有的Fab 25厂房为主,其它委外代工的对象还有德州仪器、中芯半导体等;在制程技术上,在Fab 25厂房方面,主要制程技术为110纳米、90纳米和65纳米,未来仍可持续扩产;与德仪合作的制程技术则以110纳米为主;与中芯的代工合作则是以65 纳米制程为主。

  再者,飞索也与尔必达(Elpida)合作NAND Flash产品,将以尔必达在日本广岛的12寸晶圆厂做为生产基地,初期从43纳米切入,未来再持续导入32纳米,双方也宣布采用飞索MirrorBit Charge-Trapping技术的4Gb容量SLC(Single-Level Cell)芯片正式问世,计划2010年第4季试产,在2011年第1季可步入量产。

  整体而言,飞索在重整之后,不论是产品线或是生产制造策略上,都做了相当大的转变,2010年第2季也持续交出获利成绩单,加上开始在各个产品在线与大厂进行策略联盟,飞索积极寻求转型的过程和成果,市场相当关注。



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