海力士宣布下一代DDR4内存开发完毕

　　三星电子抢先行动整整三个月之后，另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条，支持错误校验功能，均采用先进的30nm级别工艺制造，完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。

　　海力士DDR4 DRAM内存颗粒的运行速度高达2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同时运行电压仅有1.2V，64-bit I/O接口下数据传输带宽高达19.2GB/s。

　　海力士计划2012年下半年开始批量生产这种高性能DDR4内存，主要提供给微型服务器(micro server)市场，暂无消费级产品规划。

　　市调机构iSuppli认为，DDR4 DRAM在整个内存市场上的份额2013年约为5％，2015年即可超过50％成为主流，同时DDR3 DRAM内存在2012年达到71％的份额高峰，2014年就会迅速滑落到49％。