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首个DDR4 IP设计方案在28纳米级芯片上获验证

作者:时间:2012-09-11来源:SEMI收藏

   全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(CadenceDesignSystems,Inc.)日前宣布,CadenceSDRAMPHY和存储控制器DesignIP的首批产品在TSMC的28HPM和28HP技术工艺上通过硅验证。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/136686.htm

  为了扩大在动态随机存取存储器(DRAM)接口IP技术上的领先地位,Cadence在标准高级草案的基础上,承担并定制了多款级晶片DDRPHY和控制器的IP。标准建议稿预计在今年年底由固态技术协会(JEDEC)发布,与DDR3相比,新标准将为用户带来大幅度的性能提升。采用DDR4标准的DRAM设备的工作频率有望提高50%,而存储容量相对DDR3设备翻一番,DRAM传输一个字节的功耗降幅高达40%。

  ObjectiveAnalysis公司分析师JimHandy指出:“DDR4将是DRAM领域的下一个热门,但它的信令处理很棘手。由于个人电脑对DDR4DRAM的采用,这个标准将成为大容量存储的领导者,使它具有不可忽视的价格优势。ASIC设计人员如果要利用这个价格优势,就需要更多的帮助,把可靠的接口用于他们的产品。”

  Cadence硅验证PHY系列包括超越DDR-2400草案规定的数据速率,满足下一代电子运算、网络、云计算构架以及家庭娱乐设备所需要的DDR4PHY的高速应用,同时与现行DDR3和DDR3L标准兼容。经过TSMC28HPM硅验证的PHY,是一款低功耗全数字移动PHY,其性能超过了DDR-1600和DDR-1866标准所要求的最大数据速率,也超过了低功耗LPDDR2标准的最大数据速率。该技术使得系统级芯片(SoC)设计人员在下一代移动设计中部署高速低功耗存储技术时充满信心。

  CadenceSoC实现部门产品营销总监MarcGreenberg表示:“我们非常兴奋,成为第一个提供硅验证DDR4存储控制器和PHYIP的公司,这将使我们的用户在他们的下一代SoC中降低风险,并超越性能和功耗的需求。我们领先的DesignIP方案广泛的产品组合提供了先进的功能和独特的定制方法,使我们的用户在缩短开发周期的同时,可以提供高度差异化的产品。”



关键词: DDR4 28纳米

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