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Spansion在NOR闪存市场的新进展

作者:万翀时间:2012-11-22来源:电子产品世界收藏

  作为闪存最重要的领导厂商之一,公司最近发布了其并行闪存的最新产品,业界首款单芯片 闪存。该系列产品是 GL并行NOR产品线的最新成员,也是65nm GL-S产品系列的补充。Spansion公司NOR产品营销副总裁Jackson Huang介绍说,Spansion NOR闪存的读取速度可达95MB/s,编程速度为1.8MB/s,是目前市面上读取速度最快的产品同时也是目前市面上最高容量的NOR Flash,该产品主要针对消费、汽车、游戏、电信和工业等应用。该系列产品正式量产时将由SMIC武汉工厂代工,Jackon Huang表示对产品的良率很满意,在市场上非常有竞争力,并没有透露具体的产品良率。

Spansion公司NOR产品营销副总裁Jackson Huang

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/139241.htm

  Spansion一如既往采用了Spansion的MirroBit技术来制造最新的系列NOR闪存。目前技术主要是使用Spansion的并行NOR闪存和SPI产品上,是Spansion独有的技术,没有直接授权给其它公司使用。Jackson Huang介绍说,和传统的浮栅技术相比,主要优点是:存储单元的结构更简单,纵向上比浮栅更小;能够降低耦合与干扰,从而提高性能和可靠性;易于实现生产。MirroBit实质上是一种电荷陷阱技术,最早是在Spansion从AMD独立出来之前,由AMD在2002年发布。有资料称,最初开发该技术是为了降低NOR闪存的制造成本,提高NOR闪存的存储密度,并与Intel的MLC(Multi-Level Cell)NOR技术在成本上相抗衡。和传统浮栅最明显的区别在于,MirrorBit技术使用了一个电荷陷阱层来替代传统的浮栅,电荷陷阱层是绝缘体,而浮栅是导体。MirrorBit同时也利用了用于存储电荷的氮化物不导电的特性,让两个bit可以共享同一个存储单元。

MirrorBit技术示意图


浮栅技术和MirrorBit对比

  虽然Spansion最近在NOR闪存方面市场表现不错,但是,放眼整个NOR闪存的总体市场,似乎有增长放缓、甚至是逐渐萎缩下滑的趋势,特别是受到NAND闪存的冲击,前景似乎面临了重大挑战。有资料表明,2010年使用NOR闪存的手机占14%,而现在已经降至7%以下,被NAND取代了大量份额。对于NOR闪存市场的走势,Jackon Huang认为:“我们认为NOR闪存市场还是相当稳固的。NOR里面分成两大类,一种是并行的,还有一种是SPI的NOR闪存。现在低阶的并行NOR闪存逐渐被SPI所取代,但中高阶的市场还是非常稳固的,这也正是我们公司产品所针对的目标市场。”

  笔者认为,NOR闪存的编程、擦写速度是其最致命的短板。虽然和NAND闪存相比,NOR闪存的可靠性更高,但在分量极重的消费电子产品市场,面对NAND闪存的价格优势以及不可同日而语的写入速度,NOR闪存被NAND闪存所取代,并不是不可能的事。现在NOR闪存应该做的,或许是守住那些对读取速度和可靠性要求高,但不强调写入速度的应用领域,例如汽车、工业、医疗,或是消费电子的系统固件等。



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