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Vishay发布新款具有“R”失效率的QPL钽氮化物薄膜片式电阻

—— 通过MIL-PRF-55342认证的器件具有优异的耐潮能力,可用于军工和航天应用
作者:时间:2013-07-01来源:电子产品世界收藏

  日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出通过MIL-PRF-55342认证的新系列QPL表面贴装片式电阻---E/H(Ta2N),该电阻具有公认的高可靠性,失效率达到每1000小时0.01%的“R”级。新款E/H(Ta2N)电阻采用耐潮的钽氮化物电阻膜技术制造,为军工和航天应用提供了更好的规格指标,包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。有关Ta2N产品数据表,请访问:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120916。 

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/146984.htm
 

  新推出的 Dale薄膜QPL电阻适用于军工和航天应用的控制系统,在这些场合下,工作过程中的潮气或长时间存放都是需要考虑的问题。器件的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮能力超过MIL-PRF-55342规定限值的50倍。

  E/H(Ta2N)具有小于25dB的超低噪声,以及低至0.5ppm/V的电压系数。电阻的卷绕端接采用牢固的粘附层,覆盖一层电镀镍栅层,使器件可在+150℃温度下工作,而粘附层产生的电阻还不到0.010Ω。

  器件有M55342/01~M55342/12共12种外形尺寸,功率等级为50mW~1000mW,工作电压为30V~200V,根据公差,阻值范围49.9Ω~3.3MΩ。

  E/H (Ta2N)现已量产,供货周期为八周到十周。



关键词: Vishay 薄膜电阻

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